ESD5342N-3/TR 产品概述

一、产品简介

ESD5342N-3/TR 为 WILLSEMI（韦尔）推出的双路单向瞬态抑制二极管（TVS）保护器件，采用超小封装 DFN1006-3L，专为高密度、快讯号接口的静电与浪涌保护设计。器件对静电放电和雷击感性脉冲具有优秀的吸收能力，适用于移动设备、USB、串行数据线、接口芯片及其它敏感电路保护。

二、主要电气参数

• 极性：单向（Unidirectional）
• 工作稳态电压 Vrwm：5 V（额定钳位/待机电压）
• 击穿电压（VBR）：8 V
• 钳位电压：15 V（典型，8/20µs 测试条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：4 A @ 8/20µs
• 峰值脉冲功率 Ppp：60 W @ 8/20µs
• 反向电流 Ir：1 nA（静态微漏）
• 结电容 Cj：约 1 pF（适合高速信号线路）
• 通道数：双路（双通道独立保护）
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃

三、保护能力与标准

ESD5342N-3/TR 满足并通过 IEC 61000-4-2（静电放电）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变）、IEC 61000-4-5（浪涌）相关测试要求，可有效抑制来自用户操作或电网干扰的短时高能脉冲，保护下游敏感器件免受损坏。

四、特点与优势

• 低电容（≈1 pF），对高速数据线影响微小，信号完整性好；
• 单向设计，适合有明确供电极性的接口保护；
• 极低漏电（1 nA），利于低功耗应用；
• 小体积 DFN1006-3L，便于高密度 PCB 布局；
• 支持 8/20µs 浪涌能量吸收（4 A / 60 W），对瞬态脉冲响应迅速可靠。

五、典型应用与布局建议

典型应用包括手机/平板接口、USB/USB-C、HDMI、串行通信（UART、RS-232/485）、相机模块接口及其它对信号完整性和抗静电要求高的外部连接口。布局建议：将 TVS 尽量靠近受保护的端口或连接器放置，走线最短、回路面积最小；保护端接地应使用低阻抗地平面或短地线，并在必要时增加旁路/滤波元件以提升整体抗扰度。

六、封装与订购信息

封装：DFN1006-3L（超小型表贴）；型号：ESD5342N-3/TR；品牌：WILLSEMI（韦尔）。该器件适合自动贴装与回流焊工艺，便于大规模生产使用。

如需器件完整数据手册、典型电路图或 PCB 布局示例，可提供后续支持与设计建议。