PESDHC3D3V3U 产品概述

一、产品简介

PESDHC3D3V3U 是 Prisemi（芯导）推出的一款单向TVS瞬态抑制二极管，采用 SOD-323 封装，专为 3.3V 工况下的浪涌和静电放电保护设计。器件在小体积外形下提供高达 15A（8/20μs）峰值脉冲电流和 280W（8/20μs）峰值脉冲功率的抑制能力，适合对电源轨及低速信号线的过电压保护。

二、主要电气参数

• 极性：单向（针对正向瞬态）
• 反向截止电压 Vrwm：3.3V
• 击穿电压 Vbr：5V（典型）
• 钳位电压：测试条件下约 6.5V ~ 9V，典型值 7.4V（用户应根据实际测试条件确认）
• 峰值脉冲电流 Ipp：15A（8/20μs）
• 峰值脉冲功率 Ppp：280W（8/20μs）
• 反向漏电流 Ir：1μA（在 Vrwm 条件下典型值）
• 结电容 Cj：约 280pF（0V 偏压下典型）
• 封装：SOD-323（表面贴装）

三、应用场景

• 3.3V 电源轨的浪涌及突发过电压保护
• MCU 电源、传感器供电线、低速控制总线保护
• 工业控制设备、消费电子、物联网终端的输入端防护 注：由于结电容较高（≈280pF），不建议用于高速差分线或高速串行接口（如 USB/USB3、SATA 等）对信号完整性敏感的场合。

四、实用注意事项与PCB布局建议

• 器件应尽量贴近被保护引脚放置，输入端与地端走线最短、最粗，减少环路电感。
• 在高能量冲击场合，建议在附近设置低阻抗接地平面或多个过孔引出地平面，提高脉冲能量散逸能力。
• 对于多通道系统，避免共用单个 TVS 保护多路信号，防止耦合影响其他线路。
• 请在实际应用中测量钳位电压与系统容差，确认 TVS 在最大脉冲下不会触发后级保护器件或导致系统误动作。

五、选型与可靠性提示

• 若系统为严格 3.3V 电源保护且偶发浪涌狭窄（8/20μs 典型），PESDHC3D3V3U 提供良好能量吸收能力与低漏电特性。
• 对于高速信号或对电容敏感的接口，应选择低电容（pF 级更低）的 TVS 或采用分立保护方案。
• 在高温或长期暴露于工业冲击环境下，应参考厂商出具的温度特性与寿命加速试验结果进行可靠性评估。

六、封装与采购信息

• 封装类型：SOD-323，适合集成于小型化 PCB 设计中。
• 型号：PESDHC3D3V3U（品牌：Prisemi / 芯导）
• 采购时注意确认出货批次及相关数据手册，必要时向厂商索取钳位电压测试曲线与典型 ESD/浪涌试验数据，以便作最终验证。

总结：PESDHC3D3V3U 在 3.3V 应用中以小封装提供中等能量抑制能力，适合对电源轨和低速信号进行可靠保护；选型时需权衡其较高的结电容对信号完整性的影响。