型号:

PESDALC10N5VU

品牌:Prisemi 芯导
封装:DFN-10(1x2.5)
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESDALC10N5VU 产品实物图片
PESDALC10N5VU 一小时发货
描述:-
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.157
3000+
0.139
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)5A
峰值脉冲功率(Ppp)100W@8/20us
击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容0.5pF;0.25pF

PESDALC10N5VU 产品概述

一、产品简介

PESDALC10N5VU 是 Prisemi(芯导)推出的一款单向低电容 TVS 抑制二极管,专为 5V 类电源及高速信号线的瞬态过压防护设计。器件在 5V 额定工作电压下,拥有 6V 的击穿电压和约 15V 的钳位电压,能快速夹止来自 ESD、EFT 和浪涌的脉冲能量,保护下游电路免受损坏。

二、主要规格(概要)

  • 极性:单向
  • 反向截止电压 Vrwm:5V
  • 击穿电压 Vbr:6V(典型)
  • 钳位电压 Vc:15V(典型)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:5A(8/20µs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:100W @ 8/20µs
  • 反向电流 Ir:1µA(在 Vrwm 下)
  • 结电容 Cj:0.5pF / 0.25pF(不同型号或规格选项)
  • 封装:DFN-10 (1.0 × 2.5 mm)
  • 符合标准:IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5(ESD、EFT、浪涌)

三、特点与优势

  • 低结电容(0.25–0.5pF)对高速数据线影响小,适合 USB、MIPI、LVDS 等接口的过压保护。
  • 单向结构适用于直流电源轨与单端信号,钳位电压低、能量吸收能力强(100W@8/20µs),在典型浪涌条件下提供可靠保护。
  • 反向漏电小(1µA),对待机耗电影响极小,适用于对漏电敏感的便携设备。
  • 紧凑 DFN-10 封装便于在空间受限的 PCB 上布局,同时利于热量散逸与焊接工艺。

四、典型应用场景

  • 5V 电源线防护(USB、充电口)
  • 高速差分/单端数据接口的前端保护(USB2.0/3.0、HDMI 辅助线路等)
  • 工业控制与通讯设备的信号线防护(符合 IEC 抗扰度要求)
  • 便携终端、物联网模组和嵌入式系统的接口防护

五、设计与布局建议

  • 器件应尽可能靠近受保护的接口或连接器放置,缩短回路长度以降低感性耦合。
  • 将 TVS 的地焊盘与系统地良好连接,必要时使用短粗过孔连接到散热/接地平面,确保冲击能量能有效释放。
  • 对差分线使用配对 TVS 或双通道方案,保持信号对对称性并避免不必要的插入电容影响高速性能。
  • 在高能量浪涌场合,可与熔断器或限流电阻配合使用以分担冲击能量。

六、合规与可靠性

PESDALC10N5VU 满足 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 等电磁兼容测试要求,具备良好的 ESD 抗扰能力和浪涌吸收能力。典型响应时间为纳秒级(TVS 器件固有特性),长期可靠性依赖于工作条件与 PCB 热管理,建议参照器件完整数据手册进行应力与寿命评估。

七、结论

PESDALC10N5VU 以其低电容、低漏电和高能量吸收能力,适合在 5V 电源与高速信号接口中做前端瞬态电压防护。小型 DFN-10 封装便于在空间受限的设备中集成,是便携设备、工业与通信产品保护设计的理想选择。选型与布局时请结合具体系统电压、信号速率及冲击能量要求,并参考 Prisemi 官方数据手册以获取完整电气特性与封装资料。