型号:

EG3033

品牌:EG(屹晶微)
封装:SOP16
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
EG3033 产品实物图片
EG3033 一小时发货
描述:栅极驱动器 三相 P/N MOS 管驱动芯片
库存数量
库存:
2295
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.504
3000+
0.471
产品参数
属性参数值
驱动配置三相
负载类型MOSFET
驱动通道数3
灌电流(IOL)280mA
拉电流(IOH)260mA
工作电压6V~36V
上升时间(tr)280ns
下降时间(tf)60ns
传播延迟 tpLH90ns
传播延迟 tpHL30ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-45℃~+125℃
输入高电平(VIH)2V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)500uA

EG3033 产品概述

一、产品简介

EG3033(屹晶微)为三相栅极驱动器,专为驱动功率MOSFET设计。器件封装为SOP16,提供三路驱动通道,适用于三相电机驱动、逆变器、开关电源等需要独立栅极驱动的功率转换场景。器件内置欠压保护(UVP),在系统电源异常时能有效保护功率器件与系统稳定性。

二、主要性能参数

  • 工作电压范围:6V ~ 36V
  • 驱动通道数:3(三相)
  • 负载类型:MOSFET
  • 输入阈值:VIH = 2.0V,VIL = 0.8V
  • 驱动能力:上拉(IOH) = 260mA,上拉上升时间 tr = 280ns;下拉(IOL) = 280mA,下降时间 tf = 60ns
  • 传播延迟:tpLH = 90ns,tpHL = 30ns
  • 静态电流:Iq = 500µA
  • 工作温度:-45℃ ~ +125℃
  • 保护特性:欠压保护(UVP)
  • 封装:SOP16
  • 品牌/型号:EG(屹晶微) / EG3033

三、功能与保护

EG3033 集成欠压保护,能在供电不足时禁止输出或将输出置于安全状态,避免在供电异常时栅极处于未定义状态,降低功率MOSFET因门极电压异常带来的损坏风险。低静态电流设计适合对待机损耗要求较高的应用场合。

四、典型应用场景

  • 三相电机驱动逆变器(家电、工业伺服)
  • 太阳能逆变器与储能变换器
  • 三相无刷直流电机(BLDC)驱动
  • 高侧/低侧组合的多相开关电源控制

五、设计注意事项

  • 电源与旁路:6V~36V 的工作电压跨度大,应在VCC近端放置低ESR陶瓷旁路电容,减小瞬态响应时间与振铃。
  • 栅极阻尼:建议根据MOSFET门容与系统开关速度选用合适的门极电阻(通常几欧姆至几十欧姆)以控制振铃与开关损耗。
  • PCB布局:将驱动器电源与功率回路走线分离,短且粗的回流路径可降低共模干扰;驱动引脚与功率器件走线应最短。
  • 热管理:SOP16封装在高频高电流工作下需注意散热与环境温度,保证芯片工作在-45℃~125℃范围内。
  • 输入兼容:输入逻辑门槛为2.0V/0.8V,驱动器可直接与常见MCU或逻辑电平输出接口配合,但需确认输入来源的驱动能力与抗干扰设计。

六、封装与可靠性

SOP16 封装便于中小批量工业化生产与手工焊接,适配传统生产线。器件宽温设计(-45℃~125℃)满足工业级可靠性要求,静态电流低,有利于系统能耗优化。

七、结论与推荐

EG3033 为具有欠压保护的三相MOSFET栅极驱动器,结合较强的瞬态驱动能力(IOH/ IOL ≈260/280mA)、合理的传播延迟与工业级温度范围,适合三相驱动与中高电压功率转换应用。建议在工程应用中配合合适的旁路、门极阻尼与良好PCB布局以发挥最佳性能与可靠性。若需进一步电气特性曲线或参考电路图,可联系屹晶微获取完整数据手册与评估板设计资料。