型号:

EG2136

品牌:EG(屹晶微)
封装:SOP-28-300mil
批次:24+
包装:管装
重量:-
其他:
EG2136 产品实物图片
EG2136 一小时发货
描述:电机 EG2136
库存数量
库存:
3
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2600
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.12
2600+
2.99
产品参数
属性参数值
驱动配置三相;半桥
负载类型MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)350mA
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)125ns
下降时间(tf)50ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)1mA

EG2136 产品概述

一、产品简介

EG2136 是屹晶微(EG)推出的一款三相半桥栅极驱动器,专为驱动功率 MOSFET 与 IGBT 的三相逆变桥设计。驱动器工作电压范围宽(10V~20V),支持高低侧独立驱动,适用于无刷直流电机(BLDC)、永磁同步电机(PMSM)、家电、空调压缩机、泵类与工业驱动等场景。器件封装为 SOP-28-300mil,适合标准 PCB 工艺与中等功率模块设计。

二、主要电气参数

  • 驱动配置:三相,半桥驱动结构(内置高/低侧驱动单元)
  • 适配负载:功率 MOSFET,IGBT
  • 驱动能力:灌电流 IOL = 350 mA(典型峰值),拉电流 IOH = 200 mA(典型峰值)
  • 驱动电源(VCC)范围:10 V ~ 20 V(推荐 12 V / 15 V 应用)
  • 上升/下降时间:tr ≈ 125 ns,tf ≈ 50 ns(典型)
  • 保护功能:欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)
  • 静态电流(Iq):约 1 mA(低功耗待机优势)
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOP-28-300mil

三、功能特性与优势

  • 宽工作电压:10–20 V 的栅极供电适配多种功率器件、在不同驱动电平下保持良好开关性能。
  • 强驱动能力:350 mA 的灌电流与 200 mA 的拉电流,能快速充放电 MOSFET/IGBT 闸极电容,兼顾开关损耗与 EMI 控制。
  • 可控开关斜率:典型 tr/tf 值确保了适中的 dv/dt 和 di/dt,既减小开关损耗,也利于系统电磁兼容性调校。
  • 集成保护:欠压锁定避免在栅压不足时误导通功率开关;过流保护可在异常时刻限制输出,提升系统可靠性。
  • 低静态功耗:约 1 mA 的静态电流有利于节能与热管理,特别在待机或轻载工况下表现良好。
  • 宽温度范围与商用/工业级可靠性:适应严苛环境下长期工作。

四、典型应用场景

  • 驱动电机 EG2136(或同类中小功率无刷/永磁电机)
  • 家电电机控制:风机、洗衣机、电动压缩机等三相驱动系统
  • 工业变频及伺服放大器(中低压)
  • 电动车辆辅助系统、泵与压缩机控制

五、设计与使用建议

  • 供电选择:推荐在 12 V 或 15 V 驱动电压下使用,保证器件与被驱动 MOSFET/IGBT 的 VGS 在安全范围内。
  • 高侧驱动:配合自举电容与快速二极管实现高侧供电,布线应尽量短,电容靠近驱动器脚位放置。
  • 门极电阻:根据被驱动器件的门电容与所需开关速度选取门极电阻(典型 5–20 Ω),以协调开关损耗与 EMI。由于 tr≈125 ns、tf≈50 ns,若需更慢上升沿以降低 dv/dt,可适当增大门阻。
  • 保护与测量:虽然器件集成 UVP/OCP,但建议在系统层面保留电流采样与过温保护以提高可靠性。
  • PCB 布局:将驱动电源旁的去耦电容、bootstrap 电容与二极管放置在驱动器附近,保持功率回路短而宽;分离逻辑地与功率地,防止地弹导致误动作。
  • 热管理:在高频或高占空比下注意 MOSFET/IGBT 与驱动器的散热,封装 SOP-28 在热流密集环境需评估升温。

六、封装与可靠性

EG2136 提供 SOP-28-300mil 封装,适合自动贴装与波峰/回流焊工艺,封装利于散热与布线。器件经设计用于工业级温度范围(-40 ℃~+125 ℃),满足工业控制与家电长期可靠性要求。

七、选型与技术支持

在选型时,请根据被驱动器件的门极电荷(Qg)、最大栅压、系统开关频率与热预算匹配驱动电流与上/下沿特性。屹晶微(EG)可提供数据手册、应用参考电路与 PCB 布局示意,建议在样机阶段进行系统级的电磁兼容与热仿真验证。若需进一步的参数表或参考设计,请联系屹晶微技术支持获取完整资料。