型号:

EG3012S

品牌:EG(屹晶微)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
EG3012S 产品实物图片
EG3012S 一小时发货
描述:栅极驱动器 60V 半桥驱动芯片
库存数量
库存:
2127
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.582
4000+
0.54
产品参数
属性参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)800mA
工作电压11V~30V
上升时间(tr)400ns
下降时间(tf)200ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-45℃~+125℃
输入低电平(VIL)-300mV~1V
静态电流(Iq)4.5mA

EG3012S 产品概述

一、产品简介

EG3012S 是屹晶微(EG)推出的一款 60V 级半桥栅极驱动芯片,采用 SOP-8 封装,专为驱动功率 MOSFET 与 IGBT 而设计。器件集成欠压保护(UVP),工作电压范围宽(11V ~ 30V),可在-45℃ 至 +125℃ 的严苛温度条件下稳定工作,适用于电机驱动、逆变器、开关电源及汽车电子等领域的半桥驱动应用。

二、主要特性

  • 工作电压:11V ~ 30V,支持标准驱动电源与自举供电体系。
  • 额定耐压等级:60V 级别,适配常见中低压功率段器件。
  • 驱动配置:半桥输出,适合高、低侧功率器件配合使用。
  • 静态电流(Iq):4.5mA,轻负载待机功耗低。
  • 输出能力:拉电流(IOH) 800mA,灌电流(IOL) 1A,能快速驱动大门电荷 MOSFET/IGBT。
  • 开关速度:上升时间(tr) 约 400ns,下降时间(tf) 约 200ns,适合中高频率开关场景。
  • 输入容限:输入低电平(VIL) 支持 -300mV ~ 1V,增强对噪声与不同逻辑电平的兼容性。
  • 保护机制:内置欠压保护(UVP),保障驱动端在供电不足时不误触发。

三、典型电气性能(概要)

  • VCC 工作范围:11V ~ 30V
  • 静态电流:4.5mA(典型)
  • 峰值输出电流:IOH 800mA、IOL 1A
  • 上升/下降时间:tr ≈ 400ns、tf ≈ 200ns(典型,取决于负载与外部门极电阻)
  • 输入门限:VIL 支持 -300mV 至 1V(增强抗干扰能力)
  • 环境温度:-45℃ ~ +125℃

四、应用场景

  • 无刷直流电机驱动(BLDC)与伺服驱动器半桥级
  • 光伏逆变器与储能变换器的中低压桥臂驱动
  • 汽车电机控制与车载电源(在满足规范下)
  • 开关电源(SMPS)与功率因数校正(PFC)等需要高抗干扰驱动的场合

五、封装与引脚提示

器件采用 SOP-8 封装,利于常规 PCB 装配与散热设计。常见半桥驱动引脚功能包括 VCC、COM/GND、上/下栅极输出(HO/LO)、上/下输入(IN_H/IN_L)、以及半桥开关节点(VS/BOOT)等。为确保可靠性,具体引脚定义与电气时序请参照官方数据手册。

六、设计与使用注意事项

  • 布局与走线:上侧驱动回路(BOOT、VS、HO)应尽量缩短回路面积,减少共模与开关噪声耦合。
  • 旁路与去耦:VCC 旁路电容须靠近芯片引脚放置,并配置低 ESR 电容以抑制瞬态电流。
  • 栅极电阻与吸收:根据驱动速度与 EMI 要求选配门极电阻;必要时并联 RC 吸收网络以抑制振铃。
  • 热管理:尽管静态功耗低,频繁大电流切换下芯片与被驱动器件会产生热量,需考虑散热与温度监测。
  • 保护配合:建议在系统层面配合过流、过温与短路检测,提高整机可靠性。

七、结语

EG3012S 以其宽电压、低待机电流与较强的瞬态驱动能力,适合多种半桥驱动场合,兼顾性能与成本。欲获得完整电气特性曲线、引脚定义及典型应用电路,请参考屹晶微官方数据手册并在实际设计中进行验证测试。