HYG180N10LS1D 产品概述

一、产品简介

HYG180N10LS1D 是华羿微（HUAYI）推出的一款高电流、耐高温的 N 沟道功率 MOSFET。器件耐压 100V，导通电阻低至 30mΩ（VGS=6V），适用于要求高效率和高可靠性的功率开关场合。器件封装为 TO-252-2L（DPAK），便于表面贴装与散热设计。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：100V
• 导通电阻 RDS(on)：30mΩ @ VGS=6V
• 连续漏极电流 Id：45A
• 功耗耗散 Pd：71.4W
• 工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
• 阈值电压 VGS(th)：3V @ ID=250µA
• 栅极电荷 Qg：24.7nC @ VGS=10V
• 输入电容 Ciss：1.59nF
• 输出电容 Coss：474pF
• 反向传输电容 Crss：24.3pF
• 封装：TO-252-2L（DPAK）
• 品牌：HUAYI（华羿微）

三、性能特点与优势

• 低导通电阻（30mΩ @6V）有效降低导通损耗，提高系统效率，适合中大功率开关场合。
• 较大的连续电流能力（45A）满足高电流传输要求，适用于动力与电源模块。
• 宽工作温度（-55℃~+175℃）适应严苛环境与汽车级/工业级应用需求。
• 中等栅极电荷（24.7nC @10V）在平衡开关损耗与驱动能力方面表现均衡，便于选用驱动器。
• 适中的寄生电容（Ciss、Coss、Crss）有利于优化开关过渡与 EMI 管理。

四、典型应用场景

• DC-DC 降压/升压转换器与同步整流器
• 电机驱动与逆变器前端开关
• 汽车电子电源与车载充电器（需结合系统级热设计）
• 工业电源、开关电源（SMPS）与负载开关应用
• LED 驱动与电池管理系统（BMS）

五、热管理与使用建议

• 虽然器件额定耗散可达 71.4W，但实际应用中须考虑 PCB 散热、封装热阻与环境温度，建议在布局时使用大面积散热铜箔和短、宽的热走线。
• 推荐驱动电压为 10V 以获得最佳 RDS(on) 与开关特性，同时注意驱动器的电流能力以快速充放栅极电荷。
• 在高频开关应用中，应根据 Coss 与 Qg 计算开关损耗并进行系统级热余量评估。
• 注意 VGS 阈值为 3V（250µA），实际导通时需充分驱动栅极以保证低 RDS(on)。

六、封装与可靠性要点

TO-252-2L（DPAK）封装兼顾尺寸与散热性能，适合 SMT 工艺与自动化生产。华羿微提供的器件经过工业级温度筛选，适合长期在苛刻环境下工作。选型时建议参考完整数据手册，结合系统热阻、浪涌能力和 SOA（安全工作区）进行验证。

如需电路示例、热阻数据或 PCB 布局建议，可提供具体应用场景以便给出更精确的设计指导。