PESD5V0L1BA 产品概述

一、产品简介

PESD5V0L1BA 是 UMW（友台半导体）推出的一款双向瞬态抑制二极管（ESD Protector），封装为 SOD‑323。器件针对静电放电和雷击类瞬态冲击提供快速钳位保护，适用于各种通讯接口与数据线的浪涌抑制。

二、主要参数

• 钳位电压（VC）：15V（典型）
• 工作反向电压（VRWM）：5V
• 最低击穿电压（VBR Min）：6V
• 峰值脉冲电流（Ipp）：30A @ 8/20µs
• 峰值脉冲功率（Ppp）：550W @ 8/20µs
• 反向漏电流（IR）：≤1µA
• 结电容（Cj）：约140pF
• 极性：双向
• 防护等级：符合 IEC 61000‑4‑2、IEC 61000‑4‑4、IEC 61000‑4‑5

三、主要特性与优势

• 小尺寸封装（SOD‑323），适合高密度 PCB 布局。
• 低漏电流，有利于电源与高阻抗线路的稳定性。
• 低钳位电压和高能量吸收能力，可有效保护下游芯片免受瞬态过压损伤。
• 双向结构无需区分极性，便于差分线或双向信号保持完整性。
• 结电容控制在 140pF，兼顾保护性能与信号完整性，适合部分高速接口应用。

四、典型应用

• USB、HDMI、LVDS、差分信号线的静电与浪涌保护
• 手机、平板、笔记本等便携设备的接口防护
• 工业控制、仪器仪表与通讯设备的输入/输出端口保护

五、封装与安装注意事项

• 建议在受保护信号线与地之间并联布置，双向器件无极性限制。
• 焊接工艺应遵循 SOD‑323 的回流温度曲线，避免长时间高温。
• 对于高能量脉冲，注意 PCB 的散热与接地回路设计，以充分释放冲击能量并避免副作用。

六、选型与可靠性提示

选择时注意信号带宽与结电容的匹配，若用于超高速线缆或射频路径，需评估 140pF 是否满足要求。器件已通过常见的 IEC ESD/ EFT/ SI 测试，适合多数消费与工业应用场景。