MMBT5087 产品概述

一、概述与定位

MMBT5087 是一款小信号 PNP 双极型晶体管，SHIKUES（时科）品牌，SOT-23 封装。器件面向便携、消费电子和工业控制等需要体积小、驱动灵活的场合，既可做开关也可用于低功耗放大与偏置电路。器件在低电流工作点拥有较高的直流电流增益，适合做电流镜、差分放大及高侧开关等应用。

二、主要电气参数

• 直流电流增益 hFE：150（典型，Ic=1 mA，Vce=5 V）
• 集电极截止电流 Icbo：50 nA（典型）
• 集电极-射极击穿电压 Vceo：45 V（典型/额定）
• 特征频率 fT：100 MHz（典型）
• 额定集电极电流 Ic：50 mA（常规额定）
• 耗散功率 Pd：200 mW（典型封装条件下）；部分资料或封装变种描述为 350 mW，请以最终器件数据手册为准
• 射基极击穿电压 Vebo：5 V
• 集电极-射极饱和电压 VCE(sat)：约 650 mV（按标注条件测量）

（注：上述参数为样本参考值，实际选型时请核对厂家完整数据手册及测试条件。）

三、典型特性与优势

• 高 hFE 在小电流区表现良好，有利于低偏流放大和高阻抗电路设计。
• 低 Icbo 表明在截断状态下漏电小，适合低功耗/待机电路。
• 100 MHz 的 fT 使其在中高频信号处理（音频、低速数模混合电路）仍有良好性能。
• SOT-23 小封装便于高密度 PCB 布局并降低占板面积，适合便携设备。

四、典型应用场景

• 小信号放大器与前置放大电路
• 高侧开关、载流开关和电平转换
• 电流镜、偏置与温度补偿电路
• 消费类电子、仪表、传感器接口及低功耗模块

五、封装与热管理建议

SOT-23 封装对功耗和热阻有限制。若器件在接近额定 Pd 工作，需通过增加 PCB 铜箔面积、散热层或热过孔改善散热。在高 ambient 温度或持续开关大电流场合，应按数据手册进行功率整定和温升计算，必要时选择更大功率封装或并联/替代器件。

六、选型与使用注意事项

• 核对 Vceo（45 V）与实际电路最大电压，留有安全裕度。
• 注意 Vebo≈5 V，基极相对发射极不能承受过高反向电压。
• 驱动基极时保证足够基极电流以达到期望饱和电压，留意 VCE(sat) 在不同 Ic/Ib 条件下变化。
• 若电路需承受更大电流或耗散，考虑额定更高的封装或器件替代。
• 建议在批量使用前查看最新产品规格书与可靠性数据，必要时做样片测试验证实际温升与寿命。

产品以其小尺寸、高增益与中等频率特性，在众多低功耗与空间受限的设计中具有良好性价比。选型时请以 SHIKUES 的正式数据手册为准，针对具体应用做电气与热设计验证。