LGS4056HEP 产品概述

一、产品简介

LGS4056HEP 是棱晶半导体（Legend‑Si）面向单节锂离子/聚合物电池充电管理的高集成充电芯片。器件工作电压范围宽（4V～6V），支持从零伏电池的恢复充电，适用于对体积、成本和可靠性有较高要求的便携类电子产品。

二、主要参数

• 芯片类型：充电芯片（单节锂电）
• 工作电压：4V ～ 6V
• 最大充电电流：1A（典型可达1A，实际受散热与外部布线限制）
• 充电饱和电压：4.20V（充电终止/截止电压）
• 支持电池节数：1 节
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃
• 电池温度检测：支持（NTC接口或等效方案）
• 0V 电池充电：支持（深度放电恢复）
• 静态电流（Iq）：典型 150µA
• 封装：ESOP‑8

三、核心特性与优势

• 高集成度：为单节锂电提供完整的充电管理功能，简化外部元件，便于小型化设计。
• 低静态功耗：150µA 的低静态电流在待机或电池放电时可降低系统能耗。
• 宽输入范围：4V～6V 兼容 USB5V 供电，并能适配不同电源场景。
• 0V 充电支持：可以对深度放电至 0V 的电池进行安全恢复充电，提高电池回收率。
• 温度监测：外接温度检测元件可实现充电温度门控，提升安全性和电池寿命。
• ESOP‑8 封装：适合自动贴片生产，散热条件可通过 PCB 设计优化。

四、典型应用场景

• 便携式设备（蓝牙耳机、手持设备、数据采集仪）
• 可穿戴设备与健康监测终端（对体积、功率管理敏感）
• 智能家居小电器与无线传感器节点
• 单节充电宝、备用电源模块（需配合电池保护电路）

五、设计与使用注意事项

• 电源输入：典型采用 5V USB 供电，须在输入端加旁路电容及输入滤波以抑制噪声。
• 散热管理：在高充电电流（接近 1A）下，芯片自身发热显著，建议在芯片下方布置散热铜箔和过孔，保持良好导热路径。
• 温度检测：建议使用 10k NTC 或厂商推荐阻值并按手册接入温度检测引脚，以实现充电温度限幅。
• 保护电路：芯片负责充电管理，但推荐外加电池保护（过放/过充/过流）和输入反接保护，提高系统整机安全性。
• PCB 布局：关键信号和电容应靠近芯片引脚布局，电池和电源回流路径要尽量短、粗，减少压降和热量积聚。

六、总结

LGS4056HEP 面向单节锂电应用，凭借宽输入、低静态电流、0V 电池恢复与温度检测支持，适合对成本与尺寸敏感的便携类产品。为确保长期可靠运行，系统设计时应重视散热、温度检测与外部保护电路的配合。若需更详细的电气特性曲线、引脚功能与典型参考电路，请参考芯片数据手册或联系棱晶半导体获取支持。