NRVB130T1G 产品概述

一、产品简介

NRVB130T1G 是杰盛微（JSMSEMI）推出的一款小型表面贴装肖特基二极管，采用 SOD-123 封装，面向便携电源、接口保护及开关电源等需要低压降、快速恢复的电路。该器件具备低正向压降、较高整流电流能力和中等反向耐压，适合在空间受限且对效率有要求的消费电子与工业应用中使用。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：约 350 mV @ 100 mA（典型值），在低电流工作点下导通损耗小，有利于延长电池使用时长与降低热耗。
• 直流反向耐压（Vr）：30 V，适用于 12 V/24 V 类低压系统的整流与防逆保护。
• 反向电流（Ir）：约 60 μA @ 10 V（典型），在室温条件下泄漏电流较小，但会随温度上升而增加，设计时需考虑温度对泄漏的影响。
• 整流电流：1 A（平均整流电流），在适当的散热条件下可提供稳定的持续电流能力。

注：以上参数以典型测试条件为准，实际使用请参照厂方完整规格书并按温度、频率和波形等条件进行校核与降额设计。

三、封装与机械特性

NRVB130T1G 采用 SOD-123 小型贴片封装，具有尺寸小、占板面积低的优点，便于密集 PCB 排布。SOD-123 对应的焊盘设计与回流焊兼容，适合自动化贴装工艺。由于封装体积有限，器件的热阻相对较高，长期大电流工作时需要注意 PCB 铜箔散热设计。

四、主要特点与优势

1. 低正向压降：350 mV@100 mA 的低 Vf 有助于降低功率损耗，特别在低电流或电池供电设备中表现明显。
2. 快速肖特基特性：肖特基二极管本征的快速恢复与低反向恢复电荷，适合高频开关场合，减小开关损耗与电磁干扰。
3. 适中耐压与高整流能力：30 V 的耐压与 1 A 的平均整流电流使其能胜任多数 5 V、12 V 系统的整流与保护需求。
4. 适用于表面贴装生产：SOD-123 封装与主流回流焊工艺兼容，便于批量生产与自动化装配。

五、典型应用场景

• 电源整流与续流二极管（小功率开关电源、DC-DC 输出整流）
• 电源反接保护与 OR-ing（多电源切换、备用电源切换）
• USB 接口与便携设备的保护电路（低压降有利于能效优化）
• 电池充放电回路中的低压降肖特基隔离
• 信号钳位与快速检测电路（需注意反向泄漏对高阻输入的影响）

六、选型与使用注意事项

1. 温度与反向泄漏：反向电流随温度上升明显增加，在高温工作环境需留有裕量或采用更高等级封装的器件。
2. 电流降额：SOD-123 的散热能力有限，1 A 为最大平均整流电流，长时间大电流工作应在 PCB 上增加散热铜箔或采用热沉策略并参考厂方的温升曲线进行降额。
3. 冲击电流与浪涌：瞬态浪涌电流可能高于平均额定值，若电路中存在较大浪涌（如电感放电），建议验证脉冲能力或并联器件/选用更高脉冲能力的型号。
4. 反向耐压裕量：30 V 为器件额定 Vr，若电路可能出现高于此值的瞬态或浪涌，请考虑添加 TVS 或提高耐压等级的二极管。

七、可靠性与焊接建议

• 推荐遵循厂方的回流焊曲线（主流无铅回流峰值温度通常不超过 260°C），并控制实际焊接时间与板面温度。
• 储存与领用时注意防潮处理，长期封装前应按标准防潮等级（MCU）保存并在规定时间内回流。
• PCB 布局建议：二极管焊盘尽量加宽连接到散热铜箔，若空间允许可在器件下方及其近侧增加过孔连接至内部或底层铜箔以增强散热。布线应尽量短且粗，减少串联电阻和热阻。

八、备选与采购建议

• 采购型号：NRVB130T1G，品牌 JSMSEMI（杰盛微），封装 SOD-123。
• 在替代或比较时，可关注其他肖特基 1 A、30–40 V 的 SOD-123 封装器件，关注正向压降、反向泄漏与热阻等关键参数的差异。
• 批量导入前建议样片验证：包括热升测试、温度循环、浪涌测试及实际电路内的效率/温升验证，确保器件在目标工况下的可靠性。

如需更详细的电气特性曲线、封装尺寸图或应用原理图样例，可以提供具体需求，以便给出更精确的支持与参考。