型号:

S8050-J3Y

品牌:JSMSEMI(杰盛微)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
S8050-J3Y 产品实物图片
S8050-J3Y 一小时发货
描述:三极管(BJT) NPN SOT-23
库存数量
库存:
2792
(起订量: 100, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0748
200+
0.025
1500+
0.0156
3000+
0.0123
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)300mA
集射极击穿电压(Vceo)25V
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)350@50mA,1V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@500mA,50mA

S8050-J3Y 产品概述

概要

S8050-J3Y 是由杰盛微(JSMSEMI)生产的一款高性能 NPN 双极晶体管(BJT),采用紧凑的 SOT-23 封装。这种三极管设计用于广泛的电子应用,包括放大器、开关电路、驱动器和其他需要高效能和可靠性的场景。

基础参数

以下是 S8050-J3Y 的关键参数:

  • 功率(Pd): 300 mW

    • 这表明该三极管在正常操作条件下可以承受的最大功率。
  • 商品分类: 三极管(BJT)

    • 属于双极晶体管家族,通过控制基极电流来调节集电极和发射极之间的电流。
  • 晶体管类型: NPN

    • NPN 类型的三极管在基极接收正电压时会打开,允许电流从集电极流向发射极。
  • 特征频率(fT): 150 MHz

    • 表示该三极管在高频应用中的性能,高特征频率意味着它可以处理较高频率的信号。
  • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 350 @ 50 mA, 1 V

    • 这是基极电流与集电极电流之间的增益,表示在特定条件下(集电极电流为 50 mA,集电极-发射极电压为 1 V)时的电流放大倍数。
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25 V

    • 当基极不接通时,集电极和发射极之间允许的最大电压,超过此值可能导致晶体管损坏。
  • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 600 mV @ 500 mA, 50 mA

    • 在饱和状态下(即当三极管完全打开时),集电极和发射极之间的最小电压,通常用于评估开关性能。
  • 集电极截止电流(Icbo): 100 nA

    • 当基极不接通且集电极与发射极之间有电压时,通过集电极的微小漏电流。
  • 集电极电流(Ic): 300 mA

    • 表示该三极管可以承受的最大连续集电极电流。

应用场景

S8050-J3Y 因其高性能和紧凑的封装,适用于各种电子系统中:

  1. 放大器和信号处理

    • 由于其高特征频率和良好的直流电流增益,这款三极管非常适合用于音频或射频放大器,以及其他需要信号放大的应用。
  2. 开关电路

    • 低饱和电压和高切换速度使其成为开关应用(如继电器驱动、逻辑门等)的理想选择。
  3. 驱动器

    • 可以用于驱动小型负载,如 LED、继电器或小型电机等。
  4. 高频应用

    • 其高特征频率使其在高频电子设备中有广泛应用,如无线通信设备、测量仪器等。
  5. 自动控制系统

    • 可用于自动控制系统中的传感器和执行器驱动,例如工业控制系统中的传感器信号放大。

优势

  • 高频性能: 特征频率高达 150 MHz,适合高频信号处理。
  • 低饱和电压: 只有 600 mV 的饱和电压,减少能耗并提高效率。
  • 紧凑封装: SOT-23 封装使其在空间有限的设计中非常有用。
  • 高可靠性: 杰盛微(JSMSEMI)品牌保证了产品的质量和可靠性。

使用注意事项

  • 确保操作条件不超过最大允许参数(如功率、电压和电流)。
  • 避免静电损伤,使用防静电设备和操作方法。
  • 在设计时考虑到热管理,以确保长期可靠运行。

总结

S8050-J3Y 是一款功能强大且紧凑的 NPN 三极管,适用于广泛的电子应用。其高频性能、低饱和电压和高可靠性使其成为许多设计工程师的首选。通过选择这款产品,您可以实现高效能、低能耗和可靠性的电子系统。