型号:

MMBT5551

品牌:MDD
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MMBT5551 产品实物图片
MMBT5551 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 160V 600mA NPN SOT-23
库存数量
库存:
2632
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.193
200+
0.0645
1500+
0.0403
3000+
0.032
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@1mA,5V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@10mA,1mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBT5551 产品概述

概要

MMBT5551 是一种高性能的 NPN 双极晶体管(BJT),由 MDD 品牌生产,采用 SOT-23 封装。该器件以其优秀的电气特性和广泛的应用场景而闻名,特别适用于各种电子设备中的放大和开关应用。

基础参数

  • 功率(Pd): 300 mW
    • 这表明该三极管在正常工作条件下可以承受的最大功率。
  • 商品分类: 三极管(BJT)
    • 属于双极晶体管家族,具有良好的电流放大和开关性能。
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃
    • 宽泛的工作温度范围,使其适用于各种环境条件下的应用。
  • 晶体管类型: NPN
    • NPN 结构意味着在基极上施加正电压时,集电极和发射极之间会形成电流路径。
  • 特征频率(fT): 300 MHz
    • 高特征频率表明该器件在高频应用中具有良好的性能。
  • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80 @ 1 mA, 5 V
    • 这个参数表示基极电流与集电极电流之间的倍增关系,在给定条件下(Ic = 1 mA,Vce = 5 V)达到80倍。
  • 集射极击穿电压(Vceo): 160 V
    • 表示当基极不接地时,集电极和发射极之间可以承受的最大电压。
  • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 150 mV @ 10 mA, 1 mA
    • 在饱和状态下,集电极与发射极之间的电压降低到150 mV(Ic = 10 mA,Ib = 1 mA)。
  • 集电极截止电流(Icbo): 50 nA
    • 当基极不接地时,集电极截止状态下的漏电流非常小。
  • 集电极电流(Ic): 600 mA
    • 最大允许的连续集电极电流,确保器件在正常操作范围内。

应用场景

MMBT5551 因其优异的性能和小巧的 SOT-23 封装,广泛应用于以下领域:

  1. 信号放大

    • 由于其高特征频率和良好的直流电流增益,MMBT5551 非常适合用于音频和射频信号的放大。
  2. 开关应用

    • 低饱和电压和快速切换时间使其成为高效开关元件,常用于数字逻辑电路、驱动器和控制器中。
  3. 汽车电子

    • 宽泛的工作温度范围使其特别适用于汽车电子系统中的各种应用,如传感器、控制单元等。
  4. 工业控制

    • 在工业控制系统中,MMBT5551 可以用于驱动继电器、马达或其他负载设备。
  5. 消费电子

    • 小型化的 SOT-23 封装使其成为移动设备、家用电器等消费电子产品中的理想选择。

优势

  • 高频性能

    • 高达300 MHz 的特征频率,使其在高频应用中表现出色。
  • 低噪声

    • 低截止电流和低饱和电压确保了低噪声操作,提高了系统整体性能。
  • 小型化封装

    • SOT-23 封装节省空间,适合现代电子产品对小型化设计的需求。
  • 宽温范围

    • 从 -55℃ 到 +150℃ 的工作温度范围,使其能够在各种环境条件下可靠运行。

使用注意事项

  • 热管理

    • 尽管器件具有300 mW 的最大功率,但仍需要确保良好的散热措施,以避免过热导致的故障。
  • 电压限制

    • 确保操作电压不超过指定的集射极击穿电压(Vceo),以防止器件损坏。
  • 静电保护

    • 在处理和安装过程中,应采取必要的静电保护措施,以防止静电损伤。

总结

MMBT5551 是一种功能强大且灵活的 NPN 三极管,通过其卓越的电气特性和小巧的 SOT-23 封装,广泛应用于各种电子设备中。其高频性能、低噪声操作和宽温范围,使其成为许多工程师和设计师的首选器件。通过正确使用和管理,这个器件可以为您的项目带来可靠高效的性能。