ESD5401N-2/TR 产品概述

一、产品简介

ESD5401N-2/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单路、单向瞬态电压抑制器（TVS），专为 24V 等级电源和信号线的静电放电（ESD）与雷击脉冲保护设计。器件采用小型 DFN1006-2L 封装，工作温度范围 -40℃ ～ +85℃，兼顾高能脉冲耐受与低漏电、低电容特性，适合对电磁兼容有较高要求的应用场合。

二、主要参数

• 钳位电压（Vc）：45 V
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃
• 击穿电压（Vbr）：29 V
• 反向截止电压（Vrwm）：24 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：360 W @ 8/20 µs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：8 A @ 8/20 µs
• 反向电流（Ir）：1 nA（典型）
• 结电容（Cj）：42 pF
• 通道数：单路；极性：单向
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-5（雷击脉冲）与 IEC 61000-4-2（静电放电）

三、性能亮点

• 高能量吸收能力：360 W（8/20µs）峰值脉冲功率，能有效钳制雷击及浪涌能量，保护后端电路免受破坏。
• 低钳位电压：45 V 钳位电压在大幅限制瞬态电压峰值的同时，兼顾对电路的保护。
• 超低漏电与适中电容：1 nA 的低反向电流减少静态功耗，42 pF 的结电容适配多数高速信号线，降低信号畸变。
• 小尺寸封装：DFN1006-2L 提供小占位、低寄生电感，便于在有限板面空间内实现有效保护。

四、典型应用场景

• 24V 及以下电源总线过压与浪涌防护（工业控制、楼宇自动化、安防设备）。
• I/O 接口与数据线（串口、以太网 PHY 辅助保护，需评估电容影响）。
• 通信基站、电源模块、仪器仪表等需要满足 IEC 雷击与 ESD 规范的场合。
  （注：器件工作温度上限为 +85℃，在高温或车规严苛环境应评估使用条件。）

五、封装与应用建议

• 尽量将器件放置于被保护端口与 PCB 接口（如连接器）之间，靠近受保护节点以减小寄生感抗与回路面积。
• 保持与地（或参考地）之间的短且宽的走线，确保大电流脉冲回流路径低阻抗。
• 对于高速信号，需评估 42 pF 电容对信号完整性的影响；敏感线路可采用差分或额外滤波配合设计。
• 焊接遵循厂商建议的回流温度曲线与存储、湿敏等级说明，保证可靠性。

六、合规与可靠性

ESD5401N-2/TR 满足 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-5 要求，经过设计用于抗击工业环境中常见的静电与雷击瞬态。常规应用下，按推荐 PCB 布局与热管理措施可获得长期稳定的防护性能。

如需进一步的封装尺寸、典型电路、测试曲线或 PCB 推荐焊盘，请参考 WILLSEMI 的产品数据手册或联系供应商获取样片与支持。