型号:

PESD5V0L1BA-N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
PESD5V0L1BA-N 产品实物图片
PESD5V0L1BA-N 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) PESD5V0L1BA-N
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.174
3000+
0.155
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)40A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)600W@8/20us
击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容140pF

PESD5V0L1BA-N 产品概述

一、产品简介

PESD5V0L1BA-N 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款用于静电放电(ESD)与脉冲浪涌保护的双向瞬态抑制二极管(TVS/ESD),采用 SOD-323 封装,体积小、响应快,适用于对5V工作电压接口的保护。该器件专为工业级和消费类接口保护设计,可有效抑制来自人体放电、开关冲击及雷击感应的瞬态能量,保护下游敏感器件免受损坏。

二、主要电气参数

  • 钳位电压(VC):15 V(典型峰值钳位)
  • 击穿电压(Vbr):6 V
  • 反向截止电压(Vrwm):5 V(稳态工作电压)
  • 峰值脉冲功率(Ppp):600 W(8/20 μs 波形)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):40 A(8/20 μs 波形)
  • 反向漏电流(Ir):1 μA
  • 结电容(Cj):140 pF
  • 极性:双向
  • 类型:ESD/TVS
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5

三、主要特点

  • 双向结构,可同时抑制正负瞬态电压,适合双向差分或单端信号保护。
  • 高频响应快,能在纳秒级动作,适合高速接口保护。
  • 高峰值功率承受能力(600 W @8/20 μs),对短时浪涌有良好缓解能力。
  • 小封装(SOD-323),便于空间受限的 PCB 设计与自动化贴装。
  • 低反向漏电流,保证对电路的影响小;中等结电容(140 pF),适用于多数电源与信号线保护,但对极高速差分信号需评估影响。

四、典型应用

  • USB、HDMI、MIPI 等 5V 类接口的端口保护
  • IoT 终端、移动设备、消费电子的信号/电源线保护
  • 工业控制、仪表接口的防护设计
  • 通信设备与外设接口的雷击/浪涌防护

五、封装与安装建议

  • 封装:SOD-323,推荐使用常规回流焊工艺贴装。
  • 尽量将器件放置在被保护接口与 PCB 边缘之间,靠近受保护端口,缩短输入到器件的走线长度以减小感抗。
  • 对需要通过孔接地的设计,建议在附近设置多颗地线过孔以降低环路阻抗。

六、PCB 布局与可靠性建议

  • 将 TVS 器件放在靠近受保护器件或接口处,输入端到 TVS 的走线尽量最短、最粗。
  • 使用低阻抗地平面并尽量减少地回路,通过多粒过孔增强接地弹性。
  • 对于差分线,可考虑在差分对两端并联匹配的 TVS 或在两线间使用双端器件,评估结电容对信号完整性的影响。
  • 结合串联阻抗(如微小电阻或共模电感)与旁路电容一起形成滤波网络,提升整体抗扰度。

七、注意事项与选型建议

  • 结电容 140 pF 在高速差分接口上可能引入信号完整性问题,选型时需评估是否满足带宽要求;对极高频应用可考虑更低电容的替代型号。
  • 双向器件适用于无明显直流偏置的信号线;若线路存在单向工作电压或电源侧保护,需确认 Vrwm 与系统工作电压兼容。
  • 在恶劣环境或重复大能量浪涌场景下,建议进行实际浪涌测试并根据测试结果设置冗余保护或更高功率等级的 TVS。

PESD5V0L1BA-N 提供了在有限空间内对 5V 类接口进行高效、可靠保护的解决方案,是许多消费与工业设计的优选器件。