BSD3C051V 产品概述

一、产品简介

BSD3C051V 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款小封装双向瞬态电压抑制器（TVS），用于静电放电（ESD）和浪涌保护。器件封装为 SOD-323，适合空间受限的消费电子和工业接口保护场景，型号常用于数据线、信号线及低压电源保护。

二、主要参数

• 钳位电压（Vc）：20 V
• 击穿电压（Vbr）：6 V
• 反向截止电压（Vrwm）：5 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：350 W @ 8/20 μs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：16 A @ 8/20 μs
• 结电容（Cj）：60 pF
• 反向漏电流（Ir）：1 μA
• 极性：双向
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5

三、主要特性

• 高能量吸收能力：350 W（8/20 μs）能有效吸收短时浪涌与雷击残压脉冲。
• 低钳位电压：在冲击时钳位至约 20 V，减少被保护电路承受的过压应力。
• 双向结构：无需区分极性，适合交流或可反向的信号/电源线路。
• 中等结电容（60 pF）：在多数低速到中高速信号线上影响有限，但在极高速接口需评估对信号完整性的影响。

四、典型应用

• USB、串口（RS-232/RS-485）、音视频接口、GPIO 等接口的 ESD 和浪涌保护。
• 工业控制与传感器接口、车载辅助电路（根据系统等级评估）。
• 小型消费电子及便携设备中对端口的过压防护。

五、选型与设计建议

• 工作电压选择：Vrwm（5 V）应高于电路最大工作电压，避免在正常工作下触发。
• 对高速信号：60 pF 的结电容会对带宽有一定影响，差分高速线或 USB3.0 等需谨慎评估。
• 布局布局建议：元件尽量靠近被保护的连接器或线缆端，短而粗的接地回流路径，多用地 vias 实现低阻抗接地。
• 若系统需更高能量吸收或更低钳位，请比较更高功率或低电容型号。

六、封装与可靠性及注意事项

• SOD-323 小巧，适合自动贴装与回流焊。
• 双向器件无极性要求，但在 PCB 设计时仍应注意器件朝向与丝印便于生产识别。
• 器件符合常见 IEC 抗扰度标准，可满足典型工业与消费类 ESD/浪涌防护需求。

七、订购信息

• 型号：BSD3C051V
• 品牌：BORN（伯恩半导体）
• 封装：SOD-323
• 选型时请参考厂方完整 datasheet 获取详细温升、封装尺寸、回流曲线与可靠性试验数据，以便进行最终验证与认证。