NCE3095K 场效应管(MOSFET)产品概述
概要
NCE3095K 是由新洁能(NCE)公司生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),专为高功率应用设计。该器件以其卓越的电气特性和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备,包括但不限于电源供应器、电机驱动、汽车电子和工业控制系统。
基础参数
- 功率(Pd): 95W
- 表示该MOSFET在正常工作条件下可以承受的最大功率。
- 反向传输电容(Crss@Vds): 212pF @ Vds
- 反向传输电容是指在特定漏源电压下,栅极与漏极之间的电容值。
- 商品分类: 场效应管(MOSFET)
- 属于半导体器件的一种,通过栅极电压控制漏源通道的开启和关闭。
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.1mΩ @ 10V, 20A
- 在给定栅极电压和漏极电流条件下,MOSFET的导通电阻,表示其在导通状态下的内部电阻。
- 工作温度: -55℃ ~ +175℃
- 栅极电荷(Qg@Vgs): 38.4nC @ 15V
- 栅极电荷是指在特定栅极电压下,需要驱动栅极的电荷量。
- 漏源电压(Vdss): 30V
- 类型: 1个N沟道
- 输入电容(Ciss@Vds): 1.784nF @ 15V
- 输入电容是指在特定漏源电压下,栅极与源极之间的电容值。
- 连续漏极电流(Id): 95A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.2V @ 250uA
- 在特定漏极电流条件下,栅极电压达到阈值时,MOSFET开始导通。
封装和品牌
- 封装: TO-252-2
- 标准的TO-252-2封装,适合于Surface Mount Technology(SMT)生产过程。
- 品牌: 新洁能(NCE)
应用场景
电源供应器
NCE3095K 因其低导通电阻和高连续漏极电流,非常适合用于高功率电源供应器,如服务器电源、工业电源和汽车电源。低导通电阻减少了能量损耗,提高了整体效率。
电机驱动
在电机驱动应用中,NCE3095K 的高耐压和高电流能力使其成为理想选择。它可以承受高频率和高电流的要求,确保电机运行稳定且高效。
汽车电子
汽车电子系统对元器件的可靠性和耐久性要求非常高。NCE3095K 的宽工作温度范围和高耐压能力,使其非常适合用于汽车电子系统,如启动器、发电机和其他高功率应用。
工业控制系统
在工业控制系统中,NCE3095K 可以用于各种高功率控制应用,如变频器、软启动器和其他需要高性能MOSFET的设备。其低导通电阻和高连续漏极电流确保了系统的稳定性和效率。
优势
- 低导通电阻:
- 仅5.1mΩ的导通电阻,大大减少了能量损耗,提高了系统整体效率。
- 高连续漏极电流:
- 最高95A的连续漏极电流,满足了高功率应用的需求。
- 宽工作温度范围:
- 从-55℃到+175℃的宽工作温度范围,适用于各种极端环境下的应用。
- 高耐压能力:
- 最高30V的漏源电压,确保了在高压条件下稳定运行。
- 小型化封装:
- 采用TO-252-2封装,适合于SMT生产过程,节省空间并提高生产效率。
总结
NCE3095K 是一款高性能N沟道MOSFET,通过其卓越的电气特性和可靠性,广泛应用于各类高功率电子设备。其低导通电阻、宽工作温度范围和高耐压能力,使其成为电源供应器、电机驱动、汽车电子和工业控制系统等领域的理想选择。选择NCE3095K,可以显著提高系统的效率、稳定性和可靠性。