NCE65T360K

NCE65T360K 产品概述

概要

NCE65T360K 是由新洁能（NCE）公司生产的一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），适用于各种高功率电子设备和系统。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• 功率（Pd）: 101W
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 1.8pF
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 290mΩ @ 10V, 7A
• 工作温度: -55℃ ~ +150℃
• 栅极电荷（Qg@Vgs）: 19nC @ 10V
• 漏源电压（Vdss）: 650V
• 类型: 1个N沟道
• 输入电容（Ciss@Vds）: 870pF @ 50V
• 连续漏极电流（Id）: 11.5A
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 3.5V @ 250uA

封装和品牌

• 品牌: 新洁能（NCE）
• 封装: TO-252-2（DPAK）

特性和优势

高功率处理能力

NCE65T360K 具有高达101W的功率处理能力，使其适用于各种高功率应用，如电源供应、电动汽车、工业控制设备等。

低导通电阻

该MOSFET的导通电阻仅为290mΩ（@10V, 7A），这意味着在导通状态下，设备会产生较低的热量和能量损失，从而提高系统的整体效率。

宽工作温度范围

工作温度范围从-55℃到+150℃，使得NCE65T360K 可以在极端环境下稳定运行，适用于各种苛刻的工业和汽车应用。

高耐压能力

650V的漏源电压（Vdss）确保了该MOSFET在高压环境下能够安全可靠地运行，减少了因过压而导致的故障风险。

低栅极电荷

19nC的栅极电荷（@10V）使得该MOSFET具有快速开关特性，适用于需要高频率开关操作的应用。

合理的输入电容

870pF的输入电容（@50V）帮助优化了驱动电路的设计，确保了稳定的开关性能。

高连续漏极电流

11.5A的连续漏极电流使得NCE65T360K 能够处理大电流，满足各种高功率设备的需求。

适中阈值电压

3.5V的阈值电压（@250uA）使得该MOSFET易于驱动，兼顾了低功耗和高性能的需求。

应用场景

电源供应

NCE65T360K 适用于各种电源供应系统，包括开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）和逆变器等。

电动汽车和新能源设备

其高耐压和高功率处理能力使其成为电动汽车、混合动力汽车以及其他新能源设备中的理想选择。

工业控制设备

在工业控制领域，NCE65T360K 可用于驱动大型电机、控制高压设备以及其他需要高性能和可靠性的应用。

通信设备

该MOSFET也可以用于通信设备中的功率管理模块，例如基站、服务器等。

安装和使用注意事项

热管理

由于高功率处理能力，需要确保良好的散热设计，以避免过热导致的故障。

驱动电路设计

应根据栅极电荷和输入电容参数设计合适的驱动电路，以确保快速、稳定的开关性能。

安全保护

在使用过程中，应注意防止过压、过流等情况，确保设备在正常工作范围内运行。

总结

NCE65T360K 是一款高性能、可靠性强的N沟道场效应管，广泛适用于各类高功率电子设备和系统。其优异的参数和广泛的应用场景，使其成为工程师和设计师的首选产品。通过合理的设计和使用，NCE65T360K 可以帮助用户实现高效、稳定和可靠的系统运行。