ESD5311N 产品概述

一、概览

ESD5311N 是 TECH PUBLIC（台舟电子）推出的一款单通道双向 ESD 二极管，采用微型 DFN1006-2 封装，专为高速接口与低电压系统提供静电放电（ESD）与浪涌保护而设计。器件在保持极低结电容的同时，具备符合 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-5 标准的防护能力，适用于移动终端、数据线接口和各类敏感 I/O 口的表面安装防护。

二、主要参数

• 钳位电压（Vc）：15 V（典型）
• 击穿电压（Vbr）：7.5 V
• 反向截止电压（Vrwm）：5 V（建议工作电压）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：70 W
• 峰值脉冲电流（Ipp）：4 A
• 反向漏电流（Ir）：80 nA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容（Cj）：0.3 pF（典型）
• 通道数：单路
• 极性：双向
• 类型：ESD 二极管
• 封装：DFN1006-2（1.0 × 0.6 mm）
• 品牌：TECH PUBLIC（台舟电子）
• 符合标准：IEC 61000-4-2 / IEC 61000-4-5

三、特性与优势

• 极低结电容（0.3 pF）：对高速信号影响极小，适合 USB、HDMI 子信号、SATA、差分对等高速数据线保护。
• 双向保护：能有效钳位正负极性瞬态脉冲，适用于交流或双向数据线场景。
• 小封装、高密度：DFN1006-2 占板面积小，利于移动设备与紧凑型 PCB 布局。
• 低漏电流（80 nA）：有利于电池供电设备降低待机功耗。
• 符合工业级抑制标准：满足 IEC 61000-4-2/4-5，提升系统抗扰度。

四、典型应用

• 手机、平板等便携终端的 I/O 接口防护（USB、耳机、调试口等）
• 摄像头模组、高速数据链路的输入端保护
• 工业控制与消费类电子的信号接口防雷与抗静电设计
• 需要保持高速信号完整性的低电压数据线保护

五、设计与 PCB 布局建议

• 位置：将 ESD5311N 尽量靠近受保护的外部连接器或接口焊盘放置，典型距离 <1 mm，以减少寄生电感与走线长度。
• 地回流：虽为单通道双向器件，仍建议为其提供低阻抗的地回路（多层 PCB 下靠近地平面），并在器件附近布置短、粗的接地过孔。
• 与串联元件配合：在需要更高能量吸收时，可与小阻值串联电阻或磁珠联合使用，以分担能量并减小钳位应力。
• 热与机械：DFN1006-2 属微型封装，回流焊工艺需按推荐曲线处理，避免过热；存储与回流时注意防潮等级。

六、选型要点

• 工作电压：若电路工作电压 ≤5 V（Vrwm = 5 V），ESD5311N 是恰当选择；对更高电压系统请确认 Vrwm 与 Vbr 满足要求。
• 信号速率与引脚电容：0.3 pF 的超低 Cj 使其非常适合高频与差分信号，若系统对延时与失真极为敏感，此参数是关键决策因子。
• 能量承受能力：Ppp = 70 W、Ipp = 4 A 适合常见 ESD/浪涌事件；若需抵御更大能量，应考虑并联或选用更高功率等级的保护器件。
• 极性需求：双向器件适合无偏置或双向信号；对单向电源线保护可优先考虑单向 TVS。

七、包装与订购信息

• 封装：DFN1006-2（适合自动贴装）
• 型号：ESD5311N
• 品牌：TECH PUBLIC（台舟电子）

总结：ESD5311N 在极低结电容、低漏电流和小尺寸封装的组合下，为 5 V 及以下系统和高速数据线提供高效的瞬态抑制方案。合理的 PCB 布局与配套元件能进一步提升系统的抗扰性能与长期可靠性。若需详细电气特性曲线或封装图纸，可联系供应商获取完整数据手册。