型号:

AFT05MS004NT1

品牌:NXP(恩智浦)
封装:SOT-89A
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
AFT05MS004NT1 产品实物图片
AFT05MS004NT1 一小时发货
描述:RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 20.9dB 4.9W SOT-89A
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商品单价
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7.94
100+
6.73
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
功率(Pd)28W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@67uA
输入电容(Ciss@Vds)57.6pF@7.5V
反向传输电容(Crss@Vds)1.63pF@7.5V
工作温度-40℃~+150℃

产品概述:AFT05MS004NT1 RF LDMOS晶体管

一、产品背景

AFT05MS004NT1 是NXP(恩智浦)公司推出的一款高性能射频(RF)LDMOS(横向导电极金属氧化物半导体)晶体管,专为高频无线通信及应用领域设计。其在520MHz频率范围内的优异表现使其成为多种射频放大器电路中的理想选择,广泛应用于基站、无线电发射系统、电视信号传输等多个领域。

二、主要参数

  1. 电压测试:7.5V
  2. 输出功率:4.9W
  3. 增益:20.9dB
  4. 额定电压:30V
  5. 频率范围:520MHz
  6. 测试电流:100mA
  7. 封装类型:SOT-89A

三、核心性能分析

  1. 高输出功率: AFT05MS004NT1能够提供高达4.9W的输出功率,这一特性使其能够有效驱动各类负载,同时在放大器设计中大大降低了对后级器件的依赖。这使得其在需要大功率的应用场合中表现出色,如大规模数据传输和广播发射器。

  2. 频率响应: 本产品在520MHz范围内展现出色的性能,特别适用于无线通信和数字电视等领域。其良好的频率响应特性不仅能实现高效率的信号放大,还保证了信号的清晰度,降低了失真。

  3. 增益: AFT05MS004NT1 的增益高达20.9dB,为系统设计提供了良好的灵活性。高增益特性使得系统可以在较低的输入信号下获得稳定的输出,为各种复杂应用的实现提供了有力保障。

  4. 电气稳定性与保护设计: 额定电压高达30V,结合其稳健的电气特性,使得AFT05MS004NT1不易受到输入电压波动的影响,提高了整体电路的稳定性。同时,设计中的过压和过流保护特性也大大增强了其在苛刻环境下的可靠性。

  5. 封装与设计灵活性: SOT-89A封装小巧且具有良好的散热性能,这使得AFT05MS004NT1在设计中更具灵活性,适合在空间有限的应用中使用。同时其标准封装也方便了与其它电子元器件的组合,便于批量生产和维护。

四、应用领域

AFT05MS004NT1 的高功率和宽频带特性使其在多个领域得到了广泛应用,具体如下:

  1. 无线通信基站:在基站中,用于信号放大的关键组件,提高信号的传输能力和稳定性。
  2. 广播发射器:能够在较远的距离内传递清晰的信号,适合用于电视和无线电广播。
  3. 测量设备:因其稳定的输出和良好的放大特性,适合应用于无线频谱分析和其他高频测量设备中。
  4. 汽车雷达系统:在汽车及相关移动设备中可用于雷达技术,提高车载通信系统的性能。

五、结论

NXP 的 AFT05MS004NT1 LDMOS晶体管不仅在技术性能上表现卓越,同时在应用的多样性与设计灵活性方面也具备相当的优势。凭借其高输出功率、良好的增益、稳定的电气特性和小巧的封装,AFT05MS004NT1 已成为现代无线通信与高频应用中的理想选择。在未来的通信技术发展中,AFT05MS004NT1无疑将继续发挥其重要作用。