型号:

PUMD6,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP
批次:24+
包装:编带
重量:0.027g
其他:
PUMD6,115 产品实物图片
PUMD6,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存数量
库存:
3000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.312
200+
0.201
1500+
0.175
3000+
0.155
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1mA,5V
输入电阻4.7kΩ
工作温度-65℃~+150℃

PUMD6,115 产品概述

一、产品简介

PUMD6,115 是一款由安世半导体(Nexperia)推出的数字晶体管,采用6-TSSOP封装,集成了一对预偏压式NPN和PNP晶体管。此产品设计旨在提供一个高效、紧凑且易于集成的解决方案,广泛应用于各种数字和模拟电路中。其优越的电气性能和小型化设计,使得PUMD6,115在现代电子产品中成为理想的选择,尤其适合对空间有严格要求的应用。

二、主要参数

  1. 晶体管类型: PUMD6,115集成了一个NPN和一个PNP晶体管,这种配置使得其在切换和放大应用中表现卓越。
  2. 最大集电极电流(Ic): 此系列产品能够承受的最大集电极电流为100mA,适用于多种中等功率的驱动场合。
  3. 集射极击穿电压(Vce): 电压的最大击穿值为50V,保证了在高压应用中的稳定性和安全性。
  4. 基极电阻: 基极的预设电阻为4.7kΩ,使得应用广泛且便于电路设计。
  5. DC电流增益(hFE): 在1mA和5V的情况下,最小增益为200,能够有效提高信号的放大能力。
  6. Vce饱和压降: 最大饱和压降为100mV,确保了低功耗和高效率的工作状态。
  7. 集电极截止电流: 其最大集电极截止电流为1µA,表明该产品在关闭状态下的极低泄漏电流,有助于提高电路的整体效率。
  8. 功率最大值: PUMD6,115的最大功率为300mW,使其可以在不同的环境中安全运行。
  9. 封装及安装类型: 使用了表面贴装型的6-TSSOP封装,使得此器件适合用于自动化焊接同时节省PCB空间。

三、应用领域

PUMD6,115数字晶体管因其高效率、稳定性和便于集成的特点,广泛应用于电子产品的多个领域,包括但不限于:

  1. 消费电子: 智能手机、平板电脑、穿戴设备等,利用其较小的封装提升了设计灵活性。
  2. 工业控制: 适用于电机驱动、传感器接口等,凭借其优秀的电气性能实现高效控制。
  3. 通讯设备: 在无线、电信产品中作为开关和放大器使用,支持高频信号处理。
  4. 汽车电子: 应用于照明控制、动力系统管理,具有良好的耐压与温度特性。

四、优越性

  1. 集成化设计: PUMD6,115将NPN和PNP晶体管集成在一起,占用空间更小,设计更为简便。
  2. 高性能: 在多种工作条件下表现出高增益、低饱和压降以及极低的集电极截止电流,确保高效运行。
  3. 可靠性: 经过严格测试的安世半导体产品,符合国际标准,广泛适用于不同应用需求。
  4. 易于集成: 由于其小型封装,可以轻松适配到现有的电路设计中,降低了设计复杂度,加速了产品上市时间。

五、总结

PUMD6,115数字晶体管通过其高性能和小型化的特性,为多种电子应用提供了极具竞争力的解决方案。凭借其可靠性与多样化的应用潜力,此产品无疑是现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在家用电器、工业设备还是汽车电子中,PUMD6,115都能提供卓越的性能和稳定性,助力设计工程师快速开发出高效能的电子产品。