型号:

GD25LQ32ESIGR

品牌:Gigadevice(北京兆易创新)
封装:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
GD25LQ32ESIGR 产品实物图片
GD25LQ32ESIGR 一小时发货
描述:32MBIT NOR FLASH /1.8V /SOP8 208
库存数量
库存:
2022
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.38
100+
1.83
1000+
1.59
产品参数
属性参数值
接口类型SPI
存储容量32Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压1.65V~2V
页写入时间(Tpp)400us
块擦除时间(tBE)150ms@(32KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃

产品概述:GD25LQ32ESIGR

GD25LQ32ESIGR 是由 GigaDevice Semiconductor(北京兆易创新)制造的一款高性能非易失性闪存存储器,采用了 NOR 闪存架构,具有出色的读取和写入性能,适合多种嵌入式应用场景。这款器件的存储容量为 32Mb(即 4M x 8),并支持丰富的接口和功能,满足现代电子设备对存储器的需求。

基本规格

  1. 存储器类型:GD25LQ32ESIGR 是一种 NOR 类型的闪存,具有非易失性,意味着即使在断电情况下,存储在其内的数据信息依然可以保持。
  2. 存储格式:此器件采用串行外设接口(SPI)技术,支持四通道输入输出(Quad SPI,QPI),极大地提升了数据传输速率。
  3. 工作频率:最高时钟频率可达到 133 MHz,保证了快速的数据读取和写入,适合对速度要求较高的应用环境。
  4. 存储容量:具备 32Mb 的存储容量,对于存储图像、程序以及配置数据等应用提供了充足的空间。
  5. 电源电压:该器件的工作电压范围为 1.65V 至 2V,适合低功耗设计,在许多移动设备和物联网(IoT)应用中尤为重要。

性能特点

  • 访问时间:GD25LQ32ESIGR 的访问时间为 7 ns,显示出其在数据读取时的快速响应能力,有助于提升系统整体的运行效率。
  • 写入周期:单字写入周期为 60 µs,页写入周期则为 2.4 ms,特别适合需要频繁更新数据的应用,如固件更新和实时数据记录等。
  • 工作温度范围:该器件能够在 -40°C 到 85°C 的宽广温度范围内稳定工作,适用于车载、工业控制和其他特殊环境下的应用需求。

封装与安装

  • 封装类型:GD25LQ32ESIGR 采用 8-SOIC 封装,尺寸为 0.209"(5.30mm 宽),适合表面贴装型(SMD)应用。该封装形式使其易于在自动化生产线上的高速焊接,同时也保证了良好的散热性能和抗震性。

应用场景

GD25LQ32ESIGR 适用于多种领域,包括但不限于:

  • 消费电子:如数字相框、智能家居设备及智能手机等,为用户提供高效、快速的数据存取功能。
  • 工业设备:如数据采集系统、工业控制器和监控设备等,利用其宽温工作范围和高可靠性,确保系统在恶劣环境中运行。
  • 车载电子:在汽车电子应用中,如导航系统、仪表盘和车载信息娱乐系统,为快速启动和稳定运行提供必需的存储解决方案。
  • 物联网设备:如智能传感器和无线模块,提供快速的数据存储与更新能力,利于实时数据处理。

总结

GD25LQ32ESIGR 作为一款高性能的 NOR FLASH 存储器,凭借其快速的访问速度、低功耗特性以及广泛的应用场景,成为现代电子产品中不可或缺的组成部分。随着技术的不断进步,GigaDevice 提供的这款闪存产品,必将在日益复杂和智能化的电子设备中发挥更重要的作用。无论是在硬件设计、开发还是在实际的应用场景中,GD25LQ32ESIGR 都展现了其独特的价值和优势,为用户提供了高效可靠的存储解决方案。