MT40A1G8SA-062E IT:E

产品概述: MT40A1G8SA-062E IT:E

概述

MT40A1G8SA-062E IT:E是由著名的半导体制造商微电子科技公司（Micron Technology）生产的一款高性能动态随机存取存储器（DRAM）。此款存储器采用了最新的双倍数据率第四代同步动态随机存取存储器（DDR4）技术，适用于对存储性能有较高要求的应用场景。这种内存器一般用于计算机、服务器、网络设备以及高性能嵌入式系统等多种应用。

存储器类型与格式

MT40A1G8SA-062E IT:E属于易失性存储器，这意味着在电源关闭或电源故障时，存储在其中的数据将会丢失。它的存储器格式为DRAM，基于SDRAM（同步动态随机存取存储器）技术，这种类型的存储器以其高带宽和较低功耗的特性而广泛应用于现代计算环境。

性能参数

• 存储容量: 具有8Gb的存储容量（1G x 8），适合存储大量数据，同时在多任务处理和高性能计算中能够灵活应对。
• 时钟频率: 最高时钟频率为1.6GHz，能够提供高数据传输速率，最适合执行需要快速数据处理的应用。
• 电压范围: 本产品的供电电压在1.14V到1.26V之间，设计上旨在提供更低的功耗，从而提高设备的能效。
• 工作温度: 能够在-40°C到95°C的广泛温度范围内正常工作，适用于恶劣环境下的应用，如工业设备、汽车电子和航空航天等领域。

封装与安装

MT40A1G8SA-062E IT:E采用78-FBGA（7.5x11）封装，具有出色的散热性能和空间利用率。作为表面贴装型（SMT）器件，能够满足现代电路板的高密度组装需求。这种封装设计还确保了出色的电气性能和信号完整性，有助于实现更高的时钟频率和更快的数据传输。

应用场景

从数据中心到个人计算机，MT40A1G8SA-062E IT:E可广泛应用于各种设备和行业。这款内存芯片由于其高速性能和高效能的特点，是高性能计算、游戏设备、视频处理、人工智能（AI）以及机器学习等领域中的理想选择。同时，由于其出色的温度范围与质量控制，特别适合工业用途和极端环境应用。

总结

MT40A1G8SA-062E IT:E展示了Micron在内存技术方面的领先地位，结合了高性能和高能效，适应了现代计算和嵌入式系统的多样化需求。它不仅提升了数据处理能力，还有效降低了功耗，长时间支持更高效的工作环境。选择MT40A1G8SA-062E IT:E，意味着选择高质量、高可靠性的内存解决方案，为您的项目提供强有力的支持。