描述：DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray
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最小包：2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
13.93
100+
12.67
1000+
12.29
2000+
12
产品参数
属性参数值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量1Gb（128M x 8）
存储器接口并联
时钟频率400MHz
写周期时间 - 字，页15ns
访问时间400ps
电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
工作温度0°C ~ 85°C（TC）
安装类型表面贴装型
封装/外壳60-TFBGA
供应商器件封装60-FBGA（8x10）
产品概述：MT47H128M8SH-25E:M
概述
MT47H128M8SH-25E:M 是一款由知名存储器制造商Micron（镁光）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片采用DDR2 SDRAM技术，拥有1Gb（128M x 8）的存储容量，专为需要高性能和可靠性的电子应用而设计。由于其高访问速度及适中的工作电压，该芯片在包括计算机内存、网络设备和嵌入式系统等领域具有广泛的应用潜力。
主要特点
存储器类型与技术：
- MT47H128M8SH-25E:M 属于易失性存储器，它使用DDR2 SDRAM技术，这种技术相较于传统的SDRAM在数据传输率上有显著提升，因此适合高速应用。
存储容量与结构：
- 该芯片提供1Gb的存储容量，采用128M x 8位的架构，适合各种需要较大内存的应用场景。
性能参数：
- 时钟频率达400MHz，能够提供较快的数据访问速度。其访问时间仅为400ps，极大地缩短了内存操作周期。
- 写周期时间为15ns，确保了在高负载下，数据能被及时写入，有效提升了系统的响应性能。
供电和工作环境：
- 工作电压范围为1.7V至1.9V，1.8V为典型值，使其能在低功耗环境下稳定运行。这一电压水平有助于延长系统的续航时间，尤其在移动设备的应用中表现出色。
- 工作温度范围广泛，可在0°C至85°C的环境中正常工作，适应多种工业和消费电子的使用情境。
封装与安装：
- 采用60-Pin FBGA封装（8x10mm），该表面贴装型设计使得其在电路板上的安装更加方便，并能有效减少占用空间，符合现代电子设备设计的紧凑需求。
适用领域：
- MT47H128M8SH-25E:M 的高性能和可靠性使其适用于多种不同的应用，包括但不限于个人计算机领域、网络设备、游戏机、工业控制系统以及汽车电子领域。其优秀的性能参数确保了在高速数据处理时的稳定性，满足高带宽、高频率数据传输的需求。
应用优势
使用MT47H128M8SH-25E:M的设备能够受益于该存储器的高带宽和低功耗特性。对于需要快速内存响应和处理能力的应用，DDR2技术提供的双倍数据速率，实现了较高的数据通道带宽。其在现代电子设计中所带来的优势，特别是在性能与功耗之间的平衡，使其成为许多设计工程师的优选元件。
结论
MT47H128M8SH-25E:M 是一款出色的DDR2 SDRAM 存储器，适合各种高性能和高可靠性要求的应用。凭借其优化的性能参数、灵活的应用场景以及低功耗特性，该芯片为电子产品带来更高的性能和功效。Micron（镁光）的技术背景及其在存储器领域的领导地位，进一步增强了该产品的市场竞争力，为设计师和工程师在选择存储解决方案时提供了无遗憾的选择。