型号:

NSR20F20NXT5G

品牌:ON(安森美)
封装:DSN2
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NSR20F20NXT5G 产品实物图片
NSR20F20NXT5G 一小时发货
描述:Schottky Barrier Diode, 2.0 A, 20 V
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最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.42
100+
1.93
1250+
1.73
2500+
1.63
5000+
1.55
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)450mV@2A
直流反向耐压(Vr)20V
整流电流2A
反向电流(Ir)150uA@20V

NSR20F20NXT5G 产品概述

基本信息

NSR20F20NXT5G 是由著名半导体制造商 ON Semiconductor 生产的一款高性能肖特基二极管。作为现代电子设计中不可或缺的元器件之一,该二极管主要运用于需要高效能、高速反应及高温环境的应用场景,兼具出色的电气特性和优良的热性能。

主要特性

  1. 高整流电流能力:NSR20F20NXT5G 的平均整流电流 (Io) 达到 2A(DC),这使其在电流需求较高的应用中显得格外出色。该特性使得该器件能有效支持电源管理和电源转换等需要大电流的电路设计。

  2. 快速恢复特性:该二极管具有快速恢复的特性,其恢复时间小于 500ns,这对于高频率开关电源和交流-直流转换器等应用至关重要。快速的反应时间能极大降低开关损耗,从而提高整体电路效率。

  3. 低正向压降:在额定电流 2A 时,NSR20F20NXT5G 的正向压降(Vf)为 470mV,意味着其在工作时能有效降低功耗,提升能量转化效率,在众多应用中,降低热损耗的需求愈加迫切。

  4. 优良的热性能:该二极管的结温可达到 150°C(最大),使其在高温环境下仍能稳定工作,适合汽车电子和工业自动化等要求严格的环境。

  5. 反向电压能力:NSR20F20NXT5G 的最大反向电压 (Vr) 可达 20V,这允许其在多种应用中操作,并提供更高的电压容限,保护电路不受过电压的影响。

  6. 低反向泄漏电流:反向泄漏电流在 20V 时的最大值为 150µA,这表明其出色的密封性能和较低的能耗特性,能够在静态状态下保持低功耗,为集成电路提供更好的能效。

封装与安装方式

NSR20F20NXT5G 采用 2-XDFN 表面贴装封装,具体封装尺寸为 1.6mm x 0.8mm。这种小型化的设计不仅有助于节省电路板空间,还能有效提高组件的热管理表现。表面贴装型的特点使得该二极管更易于自动化生产和进行大规模装配。

应用领域

考虑到其优异的电性能,NSR20F20NXT5G 广泛应用于多种领域,包括但不限于:

  • 电源管理:适用于高效功率转换电路如开关电源、DC-DC 转换器等。
  • 汽车电子:由于其高温耐受性和可靠性,适合用于汽车电源系统及电池管理模块。
  • 便携式设备:在手机、平板、笔记本电脑及其他移动设备中,可用于电源管理和充电电路。
  • 工业控制:能够满足工业自动化设备的严格要求,包括传感器电源和驱动电路。

结论

综合来看,NSR20F20NXT5G 是一款高性能的肖特基二极管,凭借其优良的整流能力、快速响应特性、低正向压降和良好的热性能,在当今快速发展的电子产品市场中展现出广阔的应用前景。该器件不仅适合于高频、高效能的电源设计,也符合现代电子设备高集成和小型化的趋势,是工程师在设计时的绝佳选择。对于需要稳定电压和电流,并且对温度有严格要求的应用场合,NSR20F20NXT5G 的表现必将超出用户的期望。