描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：30
商品单价
梯度内地(含税)
1+
18.54
30+
18
产品参数
属性参数值
制造商IXYS
系列HiPerFET™
包装管件
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）76 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5.5V @ 4mA
Vgs（最大值）±30V
功率耗散（最大值）660W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247
封装/外壳TO-247-3
漏源电压（Vdss）650V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）75nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4810pF @ 25V
IXFH46N65X2 产品概述
基本信息
IXFH46N65X2 是由 IXYS 制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于 HiPerFET™ 系列。该器件专为高电压和高电流应用设计，具有出色的导通性能和热管理能力。其适用范围广泛，从电源转换到电动机控制，再到高频开关应用等。
电子特性
电流性能
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境下，该 MOSFET 可以承载最高 46A 的连续漏极电流，这使其在高负载应用中表现出色。其高电流能力使得 IXFH46N65X2 非常适合在要求苛刻的环境中使用，如电源逆变器和电动机驱动。
电压特性
- 漏源电压 (Vdss): 该器件设计为承受最高 650V 的漏源电压，这使得它可以安全地应用于高压电路中，而不用担心电压超标造成的故障。
导通电阻 (Rds(on))
- 在 10V 的栅极驱动电压下，IXFH46N65X2 的最大导通电阻为 76 毫欧，特别是在 23A 的电流下依然能够保持较低的电阻。这一特性有助于减少功耗，提高效率，尤其在高频和开关应用中至关重要。
开关速度
- 开关速度是电子元件性能的重要指标，该 MOSFET 的开关时间为 180ns，适合高频开关应用。较快的开关速度能够提高系统的工作效率，并减小开关损耗。
栅极驱动特性
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的情况下，该器件的栅极电荷为 75nC，这表明在切换状态时所需的驱动功率较小，从而简化了驱动电路设计。
阈值电压 (Vgs(th))
- 该器件的阈值电压最大值为 5.5V/@4mA，适合与各种驱动电路兼容，确保了其在复杂电路中的可组成性。
功率耗散能力
- IXFH46N65X2 的最大功率耗散为 660W，使其在高负载条件下依然能够稳定工作，而不会因热量过高而造成损毁。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C) 进一步提高了其在极端环境下的可靠性。
封装形式与安装
IXFH46N65X2 采用 TO-247-3 封装，这种封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还有助于增强电气连接的可靠性。其通孔安装类型使得在电路板上安装变得简单方便，适合多种工业应用。
应用领域
IXFH46N65X2 的特性使其成为以下应用的理想选择：
- 开关电源: 在高频开关电源设计中，由于其低导通电阻和高开关速度，能够显著提高电源的效率和稳定性。
- 电动机驱动器: 在电动机控制中，承载高电流的能力以及良好的热管理能力，使其能够有效控制电机的启动、运行和停止。
- 逆变器: 在太阳能及其他可再生能源领域，适合用于逆变器电路中，提供高效的能源转换。
- 工业自动化: 适合用于各种工业控制系统，尤其在需要快速开关的场合。
总结
综合考虑 IXFH46N65X2 N 通道 MOSFET 的各项参数，该器件不仅能够满足高电压和高电流应用的需求，还具备良好的热管理和开关性能。无论是在电源管理、工业驱动还是高频开关等领域，都拥有广泛的应用潜力，是电子设计中值得考虑的重要元件。