型号：
IPB083N10N3GATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-263-3(D2PAK)
批次：23+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
库存数量
库存：
1346
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.36
100+
5.09
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）8.3 毫欧 @ 73A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）55nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3980pF @ 50V
功率耗散（最大值）125W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
产品概述：IPB083N10N3GATMA1
基本信息
IPB083N10N3GATMA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，具有高效率和高功率密度的特点，特别适用于开关电源（SMPS）等要求严苛的应用场景。这款 MOSFET 的重要参数包括：漏源电压（Vdss）为 100V，连续漏极电流（Id）可达到 80A，且具有极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，使其在各种高效能电路中表现优异。
关键规格
- FET 类型： N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)： 100V，适应多种高压工作环境
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc），确保在正常温度条件下的高负载能力
- 导通电阻 (RDS(on))： 最低可达 8.3 毫欧，适用于大电流应用，降低功耗和发热
- 驱动电压 (Vgs)： 6V 至 10V，满足不同行业的驱动需求
- 阈值电压 (Vgs(th))： 最大值为 3.5V @ 75μA，确保良好的开关性能
- 输入电容 (Ciss)： 最大值为 3980pF @ 50V，兼顾高速开关性能
- 最大功率耗散： 125W（Tc），确保在高负载条件下的安全性和可靠性
- 工作温度范围： -55°C ~ 175°C（TJ），适用于极端温度环境
- 封装类型： D²PAK（TO-263AB），表面贴装设计便于自动化生产
应用领域
由于其优越的电气特性和宽广的工作温度范围，IPB083N10N3GATMA1 在多个应用场景中得到广泛应用。包括但不限于：
开关电源（SMPS）： 高效率和低功耗是开关电源设计的关键要求，该 MOSFET 能够满足高性能的需要。
电动机驱动： 其高开关速度和大电流水平使其成为电动机控制和驱动应用的理想选择。
UPS 和电池管理系统： 在不间断电源和电池管理领域，MOSFET 的高功率处理能力和低损耗特性极为重要。
电源转换器和适配器： 由于其优秀的导通电阻和功率密散，适合用于各种电源适配器设计中。
技术优势
与同类产品相比，IPB083N10N3GATMA1在RDS(on)和FOM（性能指标）上均实现了30%的显著减小，使其在高功率密度和高效率应用中具备独特竞争优势。此外，此器件的设计理念和制造工艺均基于广泛的市场需求和尖端技术，确保其在电力电子领域的权威性。
结束语
无论是在消费电子、工业应用，还是在可再生能源领域，IPB083N10N3GATMA1 都是一个出色的解决方案。凭借其卓越的性能和广泛的适用性，英飞凌继续为其客户提供稳健有效的电源管理解决方案。