型号:

SQJ409EP-T1_GE3

品牌:VISHAY(威世)
封装:PowerPAK® SO-8
批次:23+
包装:-
重量:-
其他:
SQJ409EP-T1_GE3 产品实物图片
SQJ409EP-T1_GE3 一小时发货
描述:Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.25
100+
3.54
750+
3.28
1500+
3.12
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@10V,60A
功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)260nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)11nF@40V
反向传输电容(Crss@Vds)700pF@40V
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:SQJ409EP-T1_GE3

一、产品简介

SQJ409EP-T1_GE3 是一款高性能 P 通道 MOSFET,专为需要高效率和高功率密度的汽车应用设计。其主要特性包括:额定漏源电压为 40V,连续漏极电流可达 60A,具备非常低的导通电阻和优异的热性能,广泛适用于电源管理、马达驱动和负载开关等领域。

二、技术参数

SQJ409EP-T1_GE3 的主要参数如下:

  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):40V,符合汽车电子设备的高效性要求
  • 连续漏极电流(Id):60A @ 25°C(Tc),在良好的散热条件下,可以提供强劲的输出能力
  • 驱动电压:4.5V 至 10V,适应不同电平的驱动需求
  • 导通电阻(Rds On):在 10A、10V 条件下,最大导通电阻为 7 毫欧,确保在工作时的高效率和低发热
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为 2.5V @ 250µA,显示出优秀的开启特性
  • 栅极电荷(Qg):最大值为 260nC @ 10V,提供快速开关响应,有助于降低开关损耗
  • 最大 Vgs:±20V,支持宽范围的栅极电压
  • 输入电容(Ciss):在 25V 条件下,最大值为 11000pF,保证稳定的输入特性
  • 功率耗散:最大为 68W(Tc),适应高功率应用
  • 工作温度范围:-55°C 到 175°C,这一广泛的温度范围使得该器件在极端环境下也能正常工作

三、封装和安装

SQJ409EP-T1_GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,该封装设计经过优化,以提高散热性能并减少占用空间。其表面贴装式设计便于自动化焊接,适合现代电子制造工艺。

四、应用场景

得益于其优异的性能和可靠性,SQJ409EP-T1_GE3 在汽车电子领域有着广泛的应用,例如:

  • 电源管理:在汽车电源转换模块中,提供高效的电流开关。
  • 马达驱动:适用于电动机控制电路,实现优秀的功率调度。
  • 负载开关:对负载进行高效管理,减少不必要的能量损耗。

此外,由于其 AEC-Q101 认证,SQJ409EP-T1_GE3 还可用于对温度和可靠性有严格要求的汽车应用,确保产品在严苛环境下的稳定运行。

五、总结

SQJ409EP-T1_GE3 是一款高效能、可靠性强的 P 通道 MOSFET,适合多种汽车应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和优异的电气特性,使其成为电源管理、马达驱动及负载开关的理想选择。选择 VISHAY 的 SQJ409EP-T1_GE3,您将能在设计中实现更高的效率和更小的体积,提高整体系统的性能,满足现代汽车对电气性能的严格要求。