型号：
IPD30N06S2L-13
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：22+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
库存数量
库存：
899
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.37
100+
2.8
1250+
2.55
2500+
2.44
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
包装卷带（TR）
零件状态Digi-Key 停产
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）13 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 80µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）136W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
漏源电压（Vdss）55V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）69nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1800pF @ 25V
产品概述：IPD30N06S2L-13（Infineon OptiMOS™系列 N-CH MOSFET）
一、产品基本信息
IPD30N06S2L-13 是由著名半导体制造商 Infineon Technologies（英飞凌）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，旨在为各种电子应用提供可靠性和高效能。此MOSFET属于OptiMOS™系列，特别设计用于满足现代电子设备对高电流和低电阻的需求，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动以及各种高功率应用中。
二、主要规格
封装和尺寸：
- 产品采用TO-252-3（DPAK）封装，具有良好的热性能和较小的安装面积，使其在高密度电路板上适用。
电气特性：
- 最大漏源电压（V_DS）：55V，这意味着该器件能够在高压环境下安全工作，适合大多数低到中等电压的应用。
- 连续漏极电流（I_D）：30A（在 25°C 条件下），显示其在高负载和恶劣环境中的可靠性。
- 导通电阻（R_DS(on)）：在10V V_GS 下，最大值为13毫欧，极低的导通电阻可以减少在高电流情况下的能量损耗，提高整体设备效率。
工作温度范围：
- 产品的工作温度范围为-55°C 到 175°C，具有极好的热稳定性，适合在苛刻环境中使用，如汽车电子与工业应用。
输入/输出特性：
- 栅极电荷（Q_g）：在10V V_GS 下的最大值为69nC，这表明其具有快速开关能力，降低了驱动电路的功耗。
- 输入电容（C_iss）：最大值为1800pF @ 25V，较高的输入电容可能会影响开关速度，但该器件在合理的驱动条件下仍能实现高效运行。
可靠性和耐压能力：
- 最大栅源电压（V_GS）：±20V，确保了该器件可在很大范围的控制信号下可靠工作。
- 其功率耗散（P_D）：最大可达136W，支持高负载应用而不会因过热而失效。
三、应用领域
- 电源转换器：IPD30N06S2L-13广泛应用于开关电源（SMPS、AC-DC转换器等），通过减少开关损耗，提高能效。
- 马达控制：由于其高电流承载能力和快速开关特性，适合用于直流电机驱动、电动工具和风扇控制等领域。
- 电动车和汽车：该MOSFET的宽温度范围使其非常适合在汽车电子及电动车电源管理中被广泛应用。
- 消费电子：如大型家电、电脑电源等领域，同样能有效提高能效和可靠性。
四、总结
总的来说，IPD30N06S2L-13是一款性能卓越的N通道MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，能够满足现代电子设备日益增长的需求。无论是在电源管理、马达控制还是其他高功率及高电效应用中，该MOSFET均能发挥其独特的性能优势。 通过合理的电路设计与模块应用，使用IPD30N06S2L-13能够极大地提升系统的整体效率及稳定性，是工程师们在选择高性能电子元器件时值得考虑的优质选择。