描述：场效应管(MOSFET) 150mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-363
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.25
200+
0.162
1500+
0.14
3000+
0.124
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7Ω@5V
功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)50pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
2N7002DW 产品概述
简介
2N7002DW 是一种 N 沟道场效应管 (MOSFET)，广泛应用于各种电子电路中。作为一种低功耗、高效率的开关器件，2N7002DW 在电源管理、信号放大和开关控制等领域表现优异。这种元器件以其出色的电气性能和可靠的工作特性，成为多个应用场景中理想的选择。
主要规格
- 功率: 最大功率耗散为 150mW
- 耐压: 额定最大漏极-源极电压为 60V
- 漏极电流: 最大漏极电流为 115mA
- 通道类型: N 沟道 (N-Channel)
- 封装: SOT-363
应用场景
2N7002DW 因其卓越的特性，适用于多种应用，包括：
- 开关电源: 作为开关元件，在 DC-DC 转换器、LED 驱动器和电池管理系统中实现高效的电能转换。
- 数字电路: 在逻辑电路中，MOSFET 可以用于信号的开关控制，提供快速的开关速度和低的输入功耗。
- 信号放大: 被广泛用于模拟信号处理和放大电路，能够满足不同频率范围内的增益需求。
- 驱动电路: 在低功耗设备中，2N7002DW 可用作驱动负载，如小电机、继电器和继电器等。
电气特性
2N7002DW 的关键电气特性使其成为良好的开关元件和放大器：
- 低开启电压: 其门极-源极电压 (Vgs) 的开启阈值通常在 1-3V 范围内，使其能够与低电压逻辑电路兼容。
- 高开关速度: 开关速度快，适用于高频应用，确保了电路的整体效率。
- 低导通电阻: 其在导通状态下（Rds(on)）的电阻极低，能够有效降低功耗并提高可靠性。
封装与安装
2N7002DW 采用 SOT-363 封装，这是一种小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 布局。SOT-363 封装的优势包括：
- 节省空间: 小巧的设计允许设计师在有限的空间内集成更多元件。
- 良好的散热性能: 即使在小型封装中，其散热性能也相对较好，适合各种温度环境。
- 简单的焊接工艺: 表面贴装技术(SMT)的应用使得安装更为高效和可靠。
结论
综上所述，2N7002DW 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，适合多种电子应用。其合理的额定值和优良的电气特性使其在电源管理、逻辑电路和信号放大等多个领域脱颖而出。采用 SOT-363 封装的设计，为现代电子产品提供了高效和可靠的解决方案。无论是专业设计师还是初学者，2N7002DW 都将是值得选择的优秀电子元件。