描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 80A; 1.8W; SO8
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100+
1.38
1250+
1.2
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）1.4W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）
漏源电压（Vdss）30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）42nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2000pF @ 15V
DMN3009SSS-13 产品概述
概述
DMN3009SSS-13 是由Diodes Incorporated生产的一款N沟道MOSFET（绝缘栅场效应晶体管），其主要特点在于高效率和出色的热管理性能，使其广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和其他需要高功率处理的场合。
关键参数
- 制造商：Diodes Incorporated
- 零件类型：N通道MOSFET
- 封装形式：8-SOIC封装，具有良好的表面贴装特性，适合自动化生产线的贴装需求。
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适用于高温和极端环境下的应用。
- 电流规格：在25°C环境温度下，DMN3009SSS-13的连续漏极电流（Id）可达15A，短时间脉冲电流可高达80A（Idm），确保在高负载条件下可靠工作。
- 漏源电压（Vdss）：具有30V的工作电压范围，适合多种电子电路设计。
- 导通电阻（Rds(on)）：其在10V的栅极驱动电压下最大导通电阻为5.5毫欧（@ 15A），这意味着在应用中可以实现极低的功率损耗。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为2.5V，这代表MOSFET在低电压下也能够启动，便于与低电压逻辑电平的系统兼容。
- 栅极驱动电压：其栅极最大驱动电压为±20V，确保了其在多种驱动方式下的稳定性。
- 输入电容（Ciss）：最大为2000pF，这意味着在快速开关操作中，具有良好的响应速度。
应用领域
DMN3009SSS-13适用于多个行业，包括但不限于：
- 开关电源：其高开关效率和低导通电阻使其非常适合于高频开关电源设计，有助于提高整体系统效率。
- 电机控制：在电动机驱动应用中，能够承受高达80A的脉冲电流，使其能够有效控制各种电动机。
- DC-DC转换器：MOSFET的快速开关特性和低导通电阻使其成为高效DC-DC转换器的理想选择。
- 恒流驱动：在LED照明及其他恒流源应用中，能够提供可靠的电流控制。
优势
- 高效率：低的Rds(on)和高的Id使该器件在开启状态时能有效降低功率损耗，进而提高系统整体效率。
- 宽工作温度范围：从-55°C至150°C的工作温度范围使其适用于各种极端环境。
- 集成度高：8-SOIC封装较小，适合密集的电路板设计，有助于节省空间。
- 高脉冲承载能力：80A的脉冲能力为设计提供了更多灵活性，尤其在需要短时间高负载的应用中。
结论
DMN3009SSS-13 N沟道MOSFET是一款功能强大、高性能的电子元件，其卓越的电气特性和适应性使其在现代电子产品中占据了重要位置。无论是在开关电源、电机控制还是DC-DC转换器中，其可靠性与效率都能得到充分发挥，适合各种高性能和高功率应用的需求。选择DMN3009SSS-13，将为设计方案提供有力保障。