型号：
IXTP60N10T
品牌：IXYS
封装：TO-220
批次：24+
包装：管装
重量：-
其他：
-
描述：MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
库存数量
库存：
50
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：50
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.4
50+
4.99
产品参数
属性参数值
制造商IXYS
系列TrenchMV™
包装管件
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）18 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 50µA
Vgs（最大值）±30V
功率耗散（最大值）176W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
漏源电压（Vdss）100V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）49nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2650pF @ 25V
产品概述：IXTP60N10T N通道MOSFET
一、概述
IXTP60N10T是由知名厂家IXYS推出的一款高性能N通道MOSFET，属于TrenchMV™系列。它是针对高效能开关、电源管理和电动机驱动等应用设计的。这种器件使用TO-220-3封装，具有良好的散热特性，适合于多种工业和消费类电子产品中。
二、主要参数
额定电流与电压
- 额定漏极电流（Id）：60A（在结温Tc条件下）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 驱动电压（Vgs）：最大值±30V
导通电阻与栅极阈值
- 最大导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（在25A和10V驱动条件下）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值4.5V（当漏极电流为50µA时）
高功率处理能力
- 最大功率耗散：176W（在Tc条件下）
- 工作温度范围：-55°C到175°C，适用于高温环境。
电荷特性
- 栅极电荷（Qg）：最大49nC（在10V驱动条件下）
- 输入电容（Ciss）：最大2650pF（在25V条件下）
三、应用领域
IXTP60N10T的设计使其非常适合多种高电流和高电压应用，主要包括：
- 开关电源：在AC-DC及DC-DC变换中，MOSFET可以有效控制电能转换，提供高效率和低能耗。
- 电机驱动：在各种电动机驱动控制中，MOSFET能够快速开关，从而提高系统效率和响应速度。
- 射频应用：由于其低电阻特性，能够在高频率下稳定工作。
- 电池管理系统：用于电池的充放电控制，保障系统安全。
四、设计与安装
IXTP60N10T使用TO-220AB封装，适合通孔安装，使得散热效率良好，便于与散热器结合以确保其长期稳定运行。设计时应考虑适当的散热措施，以防止器件因高负荷而过热损坏。
五、总结
IXTP60N10T是一款具备高额定电流和电压，以及低导通电阻特性的N通道MOSFET，性能稳定，适合多种高性能应用。其宽广的工作温度范围以及高功率处理能力使其成为工业和消费类电子产品中不可或缺的元件。
凭借其出色的性能和应用灵活性，IXTP60N10T已经成为设计工程师和开发人员在方案选择时的重要参考，对提高电源效率和系统性能起到了积极的推动作用。