BSS138

BSS138 产品概述

BSS138 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、功率管理、电流控制和信号放大等领域。其设计和制造旨在满足现代电子设备对小型化、高效能和高可靠性的需求。

主要特性

1. 电气特性：

   • 电流能力：BSS138 在 25°C 的环境温度下具备220mA 的连续漏极电流 (Id) 能力，使其能有效响应现有市场上对电流承载能力不断提升的需求。
   • 漏源电压：BSS138 的漏源电压 (Vdss) 达到50V，能适应多种高压应用而不易发生损耗或损坏。
   • 导通电阻：在驱动电压为 10V 时，BSS138 的最大导通电阻 (Rds On) 为3.5 欧姆，这意味着在负载条件下的功耗较低，提高了整体电路的能效。
   • 栅极开启电压：Vgs(th) 的最大开启电压为1.5V @ 1mA，表明该MOSFET能够在较低电压下开启，适合低电压控制电路。

2. 热特性：

   • 功率耗散能力：该MOSFET的最大功率耗散能力为360mW，使其在运作时可以有效降低热损失，延长元件的使用寿命，尤其适合长时间运行的产品设计。
   • 工作温度范围：BSS138 的工作温度范围为-55°C 到 150°C（TJ），此特性使其在苛刻环境和高温应用下依然具备良好的稳定性。

3. 封装与安装：

   • 封装类型：BSS138 采用 SOT-23-3 表面贴装封装，这种小型化的封装形式适合于现代电子产品的微型化设计，能够有效节省电路板空间。
   • 卷带包装：以卷带（TR）形式提供，加工简单，适合大规模的自动化设备装配。

4. 电容与电荷：

   • 输入电容 (Ciss)：在25V下的输入电容最大值为27pF，说明其在高频应用时具有较低的输入阻抗特性。
   • 栅极电荷 (Qg)：在10V的栅极驱动条件下，栅极电荷最大值为2.4nC，这对于快速开关操作尤为重要，使其在高频开关应用中表现出优秀的性能。

应用场景

BSS138 由于其优越的电气特性，广泛应用于以下领域：

• 开关电源：在电源转换器中作为开关元件，能够高效控制电流流向，提高电源效率。
• 电子负载：作为负载调节器，控制在可接受范围内的电流变化。
• 信号放大：作为输入放大器中的增益元件，增强微弱的信号。
• 逻辑电路：在数字电路中用于实现逻辑开关功能，特别是在移位寄存器和状态机中。

性能总结

总体而言，BSS138 以其卓越的电气性能和强大的环境适应能力，成为了现代电子设备中一个理想的选择。无论是用于低功耗应用还是高电压环境，其优越的特性使得它在模块化、集成化的电子设计中扮演着不可或缺的角色。设计工程师能够依托于 BSS138 的高效能和可靠性，构建出更加先进和高效的电子系统。