描述：数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SC-70
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产品参数
属性参数值
晶体管类型1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.4V@1mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@5mA,0.25mA
输入电阻10kΩ
电阻比率4.7
工作温度-55℃~+150℃
DTC114YU3HZGT106 产品概述
1. 产品简介
DTC114YU3HZGT106 是 ROHM（罗姆）公司推出的一款数字 NPN 晶体管，具有预偏压特性，适用于低功耗电子电路的开关与放大应用。其最大电流为100mA，最大集射极击穿电压为50V，结合出色的电流增益特性，使得该器件能够广泛应用于各种电子设备中，例如音频设备、信号放大器和电源管理模块等。作为一种高度集成、表面贴装型 (SMD) 组件，DTC114YU3HZGT106 特别适合现代小型化电子产品设计。
2. 关键参数
DTC114YU3HZGT106 的关键参数如下：
- 晶体管类型: NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic): 最大值 100mA
- 电压 - 集射极击穿: 最大值 50V
- 功率 - 最大值: 200mW
- 直流电流增益 (hFE): 最小值 68 @ 5mA，5V
- 基极电阻 (R1): 10 kΩ
- 发射极电阻 (R2): 47 kΩ
- 频率 - 跃迁: 250MHz
- Vce 饱和压降: 最大值 300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止: 最大值 500nA
- 封装: SC-70，SOT-323
3. 应用场景
DTC114YU3HZGT106 的设计使其特别适合以下应用场景：
- 开关电路: 可用于控制小功率负载，如 LED 及继电器等。
- 信号放大: 在音频放大器、射频放大器及其他需要对微弱信号进行放大的场合，该类型的晶体管能够提供稳定的增益性能。
- 电源管理: 可用于电源稳压器和电源开关应用，有效提高系统的效率和稳定性。
- 数字电路: 感应性能优良的晶体管，对数字信号进行快速切换，尤其在高频应用中表现出色。
4. 性能特点
- 高频特性: DTC114YU3HZGT106 的工作频率高达250MHz，使其特别适合于高频应用，为设计师提供灵活性。
- 低功耗: 合理的功耗和小体积设计使其非常适合于便携式设备及低功耗电子产品。
- 集成度高: 表面贴装的封装设计大幅度节省了电路板空间，适合小型和密集组装的应用需求。
- 强大的电流增益: 在常规工作条件下，具备良好的电流增益特性，能够有效提高信号处理效率。
5. 选择与应用考量
在选择 DTC114YU3HZGT106 时，工程师需综合考虑其最大电流、电压、功率等参数，以确保该晶体管可以适应特定电路的需求。与此同时，基极和发射极的电阻值则是影响工作效率与增益的重要因素，应在电路设计中进行合理的设计和调校。
6. 结论
DTC114YU3HZGT106 作为 ROHM 提供的高性能 NPN 晶体管，不仅具备丰富的参数特性，还能够在多种应用中展现出优异的性能表现。它的预偏置特性、低功耗、高频特性以及出色的增益表现使其成为现代电子设计、特别是在通信、开关电源、音乐设备等领域不可或缺的核心元件。通过合理的应用和调配，可以极大地提升电子产品的性能和可靠性，助力各项电子项目的成功实现。