型号:

2N7002KA-TP

品牌:MCC(美微科)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
2N7002KA-TP 产品实物图片
2N7002KA-TP 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 60V 340mA 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
2990
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.247
200+
0.0826
1500+
0.0516
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)340mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,500mA
功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)35pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

2N7002KA-TP 产品概述

基本信息
2N7002KA-TP 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为多种应用而设计,具有优异的导通性能和可靠性。其封装形式为 SOT-23,适合于表面贴装技术,能够有效节省 PCB 的空间,同时提高电路的集成度。这款 MOSFET 主要应用于开关电源、马达驱动、信号放大以及其他需要高效电源管理的场合。

电气参数
该元件的关键电气性能参数亮眼。首先是不同 Id 值和 Vgs 下的导通电阻最大值为 5 欧姆(在 500mA 和 10V 条件下测得)。这一性能使其在工作时损耗最低,从而有助于提高效率并降低热量的产生。其最大漏源电压 (Vdss) 达到 60V,这使得 2N7002KA-TP 可应对较高电压应用的需要,适用于发电机、蓄电池管理等场合。

在驱动电压方面,该产品以 4.5V 和 10V 为典型值的最大 Rds On(导通电阻)和最小 Rds On,让其在不同条件下仍能保持良好的性能。而且,最大功率耗散值为 350mW,确保在各种负载情况下其工作稳定可靠。

温度范围与可靠性
2N7002KA-TP 具有广泛的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,确保其适用于严苛的环境条件。例如,该部件可以在极端温度下持续工作,因此特别适合汽车电子、工业控制及航空航天等领域的应用。这种高温抗性是由于其采用的特种材料及先进的制造工艺,使其整体可靠性得到显著提升。

输入特性与驱动
在输入特性方面,2N7002KA-TP 的最大输入电容 (Ciss) 为 40pF,这确保了其在高频操作时的快速响应。在不同 Id 值下,阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 2.5V@ 250µA,使得其可以在较低的驱动电压下迅速导通,增加了对控制信号的灵敏度。此外,该 MOSFET 的 Vgs 允许值高达 ±20V,提供了良好的终端电路保护。

应用场景
由于上述优良特性,2N7002KA-TP 被广泛应用于多个领域。常见应用包括:

  1. 开关电源:在电源转换器中,可作为高效的开关元件。
  2. 马达控制:结合 PWM 信号对小电流马达进行精确控制。
  3. 信号放大:在低噪声放大器或射频放大器中,以处理高频信号。
  4. 驱动电路:应用于LED驱动、继电器驱动等诸多控制电路。

结语
2N7002KA-TP 是一款具备高效能与可靠性的 N 沟道 MOSFET,广泛适用于多个应用场景。其优越的这种导通电阻、较高的漏源电压和宽广的工作温度范围,使其成为电子工程师和设计师在设计各类应用时的理想选择。无论是在日常生活中的小型电子设备,还是在工业及高端技术应用场合,2N7002KA-TP 均能表现出色,是高效电力管理系统中的重要组成部分。