描述：场效应管(MOSFET) 417W 200V 90A 1个N沟道 TO-263-3
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6.12
100+
4.9
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16.9mΩ@10V,51A
功率(Pd)417W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)162nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)6.484nF
反向传输电容(Crss@Vds)142pF
工作温度-55℃~+175℃
IRF200S234 产品概述
产品名称: IRF200S234
类型: N通道MOSFET
封装: TO-263-3 (D2PAK)
品牌: 英飞凌 (Infineon)
一、产品特点
IRF200S234是一款高性能N通道MOSFET，具备200V的漏源电压（Vdss）、90A的连续漏极电流（Id），以及417W的最大功率耗散。这些特性使其在高压高电流应用中非常理想，比如电源管理、逆变器、电动机驱动及其它功率电子电路。
产品采用表面贴装型（SMD）封装，符合TO-263-3规格，具备良好的热性能及较小的尺寸，适合于高密度的印刷电路板（PCB）设计。
二、性能参数
电气特性:
- 漏源电压 (Vdss): 最大200V，适合中高压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 可以承载高达90A的电流，适合高功率电路。
- 导通电阻 (Rds On): 最大16.9毫欧（当Id为51A且Vgs为10V时），意味着在工作时发热非常小，提高效率。
栅极驱动:
- 驱动电压: 最小Rds On电压为10V，搭配高效的栅极电荷特性，使得在驱动电压下能够快速开启和关闭，从而降低开关损耗。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大5V @ 250μA，确保MOSFET在正常工作条件下能快速导通。
电容特性:
- 输入电容 (Ciss): 最大6484pF @ 50V，良好的电容特性进一步提高开关速度并降低开关损耗。
热特性:
- 功率耗散: 最大417W，能够有效处理在高负载条件下的发热问题。
- 工作温度范围: -55°C至175°C（TJ），满足广泛应用场景的环境需求，确保器件在极端条件下的可靠性。
三、应用领域
IRF200S234广泛应用于需要高效能和高稳定性的电力转换领域。它的应用包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关元件用于DC-DC转换器，电力逆变器和电池管理系统。
- 电动机驱动: 在直流电动机驱动及无刷电动机控制中，能够实现高效控制和快速响应。
- 工业自动化: 在工业设备中，MOSFET可用于功率分配和控制，确保设备稳定运行。
- 消费电子: 在各种便携式和不便携式电子产品中，提供高效性和节能效果。
四、总结
英飞凌的IRF200S234 MOSFET是一款设计精良的高功率、高效率的电子元器件，适合用于各种应用领域。在电源管理和驱动控制方面提供出色的性能，具有极低的导通电阻和高的耐压能力，确保了其在高电流和高温环境下的可靠性。同时，选用TO-263-3(D2PAK)封装，使其在紧凑设计上具有优势，非常适合现代电子设备的需求。