描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 60V 5.7A 1个P沟道 PowerDI5060-8
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.94
100+
1.5
1250+
1.3
2500+
1.24
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,26A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30nC
输入电容(Ciss@Vds)2.163nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)58pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
DMP6050SPS-13 产品概述
概况
DMP6050SPS-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，适用于各种低功耗和高电流应用。该产品由知名品牌 DIODES（美台）制造，采用先进的钝化技术，确保其在高温和高电压环境下的卓越稳定性与可靠性。该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围、低导通电阻以及高电流承载能力，理想用于电源管理、汽车电子、以及其他需要高效能开关的应用场景。
关键参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 5.7A（在 25°C 环境下）
- 驱动电压（Vgs）: 最小 4.5V，最大 10V
- 导通电阻（Rds On）:
- 最大值 50 mΩ @ 10V、5A
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 3V @ 250μA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值 30nC @ 10V
- 栅源极最大电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大值 2.163nF @ 30V
- 功率耗散: 最大值 1.3W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ)
- 封装类型: PowerDI5060-8
- 安装方式: 表面贴装型
应用领域
由于其出色的热性能和电气参数，DMP6050SPS-13 非常适合以下应用：
- 开关电源: 在电压转换和能量分配中扮演关键角色，能够有效提高系统的整体效率。
- 汽车电子: 在汽车电源管理、电机驱动等方面提供可靠的性能，能够承受高达 60V 的电压，适应现代汽车电子的需求。
- 电池管理系统: 通过有效的功率调节和控制，帮助延长电池寿命，提升能量利用率。
- 家用电器: 可用于电动工具、LED照明、消费者电子等设备，提供高效的开关控制。
性能特点
低导通电阻: DMP6050SPS-13 的低 Rds On 值使其在高电流条件下，电能损失最小化，温升较低，有助于提高系统的可靠性和效率。
宽广的工作温度范围: 该 MOSFET 能够在 -55°C 至 150°C 的温度下稳定工作，这使其适合在极端环境中使用，如航空、汽车等行业。
优秀的电气特性: 具备快速的开关速度和低栅极电荷，能够支持高频操作，大幅降低开关损耗，提高系统整体的效率。
强大的封装设计: 采用 PowerDI5060-8 封装，具有优异的热性能和空间效率，适合高密度的电子设计，便于在有限的空间内散热。
结论
总之，DMP6050SPS-13 是一款可靠、高效、适应性强的 P 通道 MOSFET，满足现代电子设备对性能、效率及供电可靠性的高标准需求。通过使用此元件，设计工程师可以保证他们的产品在降低功耗的同时，保持极高的性能，为其应用领域提供最优解决方案。无论是电角调节、电源管理还是电池监测，DMP6050SPS-13 都是理想选择，能够帮助实现更智能的电源解决方案。