描述：场效应管(MOSFET) 6.25W；104W 60V 40.4A；165A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
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5.59
750+
5.19
1500+
4.94
3000+
4.75
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)165A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.75mΩ@10V,20A
功率(Pd)6.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)42.5nC@7.5V
输入电容(Ciss@Vds)3.77nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)55pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
产品概述：SIR626ADP-T1-RE3 (Vishay Siliconix TrenchFET® Gen IV N通道MOSFET)
1. 引言
SIR626ADP-T1-RE3是一款由Vishay Siliconix制造的高性能N通道MOSFET，属于TrenchFET® Gen IV系列。作为面向市场的成熟解决方案，该MOSFET特别适用于需要高效率和高功率处理能力的应用场合。此器件的设计不仅关注于提升导通效率，还兼顾了热管理表现，确保在多种条件下的稳定运行。
2. 关键规格
- 制造商：Vishay Siliconix
- 封装类型：PowerPAK® SO-8
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流 (Id)：40.4A（环境温度，Ta）；165A（导热条件，Tc）
- 最大功率耗散：6.25W（环境条件，Ta）；104W（导热条件，Tc）
- 导通电阻 (Rds(on))：1.75 毫欧 @ 20A，10V 驱动电压
- 门极阈值电压 (Vgs(th))：最大3.5V @ 250µA
- 栅极驱动电压 (Vgs)：±20V
- 栅极电荷 (Qg)：最大83nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)：最大3770pF @ 30V
3. 性能优势
SIR626ADP-T1-RE3的设计注重低导通电阻和高电流承载能力，这使其在开关电源、DC-DC转换器和马达驱动应用中表现出色。低Rds(on)意味着在导通状态下的能量损失降低，从而提高系统能效。通过将最大功率耗散提升到104W（在改善热管理的情况下），该MOSFET能够在高功率应用中可靠运行。
4. 应用领域
此MOSFET广泛应用于多个领域：
- 开关电源：由于其高效能，适合用于AC-DC和DC-DC转换的电源管理。
- 电动机控制：能够处理高电流的同时保持低热量，是大功率电机驱动设计的理想选择。
- 电池管理系统：在电池充电和放电过程中，SIR626ADP-T1-RE3能够有效控制电流流动，增加系统的整体安全性和可靠性。
- 消费电子：如智能手机、平板电脑等设备中的电源管理模块。
5. 热管理与可靠性
SIR626ADP-T1-RE3支持广泛的工作温度范围（-55°C至150°C），这使其能够在苛刻的环境条件下工作。该MOSFET的封装设计为PowerPAK® SO-8，具备良好的散热性能和耐用性，能够适应各种PCB布局和焊接工艺，确保在长期运行中的性能稳定。
6. 结论
SIR626ADP-T1-RE3 MOSFET的优异性能和广泛的应用可能性使其成为现代电子设计中不可或缺的重要器件。其低导通电阻和高电流能力，使得开发工程师在设计电源管理与电机控制系统时，能够轻松实现高效与高可靠性的解决方案。综上所述，对于寻求在电源管理、驱动和开关应用中提供最佳性能的用户，SIR626ADP-T1-RE3是一个值得信赖和推荐的选择。