型号:

PMV37ENEAR

品牌:Nexperia(安世)
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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PMV37ENEAR 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 710mW;8.3W 60V 3.5A 1个N沟道 SOT-23
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.04
200+
0.803
1500+
0.698
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)49mΩ@3.5A,10V
功率(Pd)710mW;8.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)450pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)30pF@30V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

PMV37ENEAR 产品概述

产品概述

PMV37ENEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为汽车电子应用设计,并符合 AEC-Q101 认证标准。该元器件梳理了高效能和可靠性特点,适用于各种要求严格的工作环境。其系列化产品能够满足现代汽车电子设备在功率管理及开关控制方面的需求。

关键参数

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 封装类型: TO-236AB,SOT-23-3
  • 零件状态: 有源
  • 技术: 金属氧化物场效应管(MOSFET)

电性能参数

  • 额定电流: 在 25°C 时,连续漏极电流(Id)可达 3.5A。
  • 漏源电压(Vds): 该元件可承受高达 60V 的漏源电压,适合高压工作环境。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 驱动电压下,导通电阻最大值为 49 毫欧,确保了低功耗和低热损耗。
  • 门极阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为 2.7V(在 250µA 时),传输的信号反应迅速。
  • **最大门源电压(Vgs)》: 该元件支持的最大门源电压为 ±20V,适应多样的驱动设计。

功率和热管理

PMV37ENEAR 的功率耗散能力出色,可达 710mW(环境温度 Ta)和 8.3W(晶体管接触温度 Tc)。这种高功率处理能力使其适用于密闭的空间环境,且能有效应对过热现象。工作温度范围广泛,从 -55°C 到 175°C,使其在极端条件下也能保持稳定工作,确保汽车电子产品的可靠性。

驱动特性

在不同 Id 和 Vgs 值条件下,该 MOSFET 的栅极电荷(Qg)最大为 13nC(在 10V 时),并且输入电容(Ciss)最大值为 450pF(在 30V 下)。这些参数意味着 PMV37ENEAR 能够快速充电和放电,从而提高开关速度,降低开关损耗,是高频应用的优选组件。

应用场景

PMV37ENEAR 适用于多种汽车电子应用,包括:

  1. 电源管理: 作为高效的开关元件,控制电源的开启和关闭。
  2. 电机驱动: 由于其能够处理较大的电流,非常适合用作电机驱动控制中的开关。
  3. LED 驱动: 在汽车的照明系统中,PMV37ENEAR 可以用作驱动高效能 LED 灯的开关。
  4. 自动化系统: 作为信号切换元件,适应不同车辆自动化系统的需求。

结论

PMV37ENEAR 以其高效能、可靠的电气性能和广范的应用场景,成为汽车行业中极具价值的 MOSFET 解决方案。具备卓越的功率处理能力与耐高温特性,满足,但不仅限于,汽车电子、工业控制和高频开关电源等领域的技术需求。无论是在复杂的汽车电源管理还是在高频率的开关应用中,PMV37ENEAR 都能承担起重要的角色,是设计工程师在组件选型时值得信赖的选择。