型号:

TLE2061IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-SOIC
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
TLE2061IDR 产品实物图片
TLE2061IDR 一小时发货
描述:FET输入运放 3.4V/us 600uV 4pA 2MHz SOIC-8
库存数量
库存:
4
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.38
2500+
7.13
产品参数
属性参数值
放大器数单路
增益带宽积(GBP)2MHz
输入偏置电流(Ib)4pA
输入失调电压(Vos)600uV
共模抑制比(CMRR)65dB
压摆率(SR)3.4V/us
静态电流(Iq)280uA
输入失调电压温漂(Vos TC)6uV/℃
工作温度-40℃~+85℃
双电源(Vee ~ Vcc)-18V~-3.5V;3.5V~18V
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
噪声密度(eN)43nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)1pA

TLE2061IDR 产品概述

一、概述

TLE2061IDR 是由德州仪器(Texas Instruments)生产的一款高性能 FET 输入运算放大器。作为一款单电路的运算放大器,它设计用于广泛的应用场景,如信号处理、传感器接口以及音频设备。该款运放以其出色的性能指标和广泛的电源电压范围而备受青睐,适用于需要高精度和高稳定性的各种电子系统。

二、基本特征

  1. 放大器类型: TLE2061IDR 采用 J-FET 输入结构,其优点是输入偏置电流极低(仅 4pA),适合高阻抗信号的处理和放大。
  2. 压摆率: 3.4V/µs 的压摆率使 TLE2061IDR 能够快速响应输入信号变化,适合高频应用。
  3. 增益带宽积: 具有 2MHz 的增益带宽积,使其在较高频率下依然能够保持良好的增益表现。
  4. 电流/供电及输出能力: 工作电流为 290µA,同时支持单/双电源供电(7V ~ 36V 或 ±3.5V ~ 18V),提供最大 80mA 的输出电流,满足各种负载驱动需求。
  5. 工作温度范围: TLE2061IDR 的工作温度范围为 -40°C ~ 85°C,确保在各种环境条件下的可靠性。
  6. 安装类型和封装: 采用表面贴装类型并采用 8-SOIC 封装,适合现代电子设计中的空间受限需求。

三、性能优势

  1. 极低的输入偏置电流: TLE2061IDR 的 4pA 输入偏置电流使得其在高阻抗信号处理时具有更好的线性度和更低的信号失真。这对于需要高精度测量的应用,如数据采集系统和传感器接口,尤为重要。
  2. 宽广的供电范围: 它的供电电压范围使得该运放能在各种电源条件下工作,为设计人员提供了更大的灵活性。
  3. 高稳定性: TLE2061IDR 具有优良的温度稳定性,能够在较宽的温度范围内保持性能稳定,适合工业和汽车等高要求的应用领域。

四、应用领域

TLE2061IDR 运放广泛应用于多个领域,如:

  • 传感器信号放大: 提供高输入阻抗与低失真性能,常用于温度传感器、压力传感器等各种传感器信号的处理。
  • 音频信号处理: 在音频系统中可用于音频信号的放大,保证信号的清晰和细节呈现。
  • 仪器仪表: 用于需高精度的测量仪器如示波器、万用表等。
  • 数据采集系统: 理想的选择,尤其是在需要对微弱电信号进行放大的场景。

五、总结

TLE2061IDR 在电压、温度、增益带宽和压摆率方面提供了优越的性能,使其成为高端信号处理应用的理想选择。凭借其极低的输入偏置电流和宽广的供电电压范围,TLE2061IDR 不仅能满足现代电子设计中的关键性能需求,同时也能保证在各种环境条件下的高可靠性,更加适合于自动化、医疗设备、汽车电子等多个领域的应用。选择 TLE2061IDR,就是选择了一款能提供长久稳定性能的优秀运算放大器。