BDFN2C051V40 产品概述

一、产品简介

BDFN2C051V40 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款用于静电放电与浪涌保护的 TVS/ESD 器件。单路、双向保护设计，适用于对高低压瞬态抑制要求严格的接口与信号线保护场合。封装为 DFN1006-2L（小尺寸 SMD），便于贴片组装与紧凑布局。

二、主要特性

• 双向（Bi-directional）瞬态抑制，适合差分或双向信号线。
• 峰值脉冲功率 Ppp = 200W（8/20µs 波形），能有效吸收瞬态能量。
• 峰值脉冲电流 Ipp = 18A（8/20µs）。
• 低结电容 Cj = 34pF，对高速数据线影响小。
• 满足 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-4（EFT）等抗扰度标准。
• 反向漏电流 Ir 极小，典型 1µA。

三、主要电气参数

• 钳位电压（Vclamp）：11V（在标准脉冲条件下的典型钳位值）。
• 击穿电压（Vbr）：6V（器件起始导通电压范围）。
• 反向截止电压（Vrwm）：5V（工作电压上限，适用于 5V/USB 类接口）。
• 峰值脉冲功率：200W @ 8/20µs；峰值脉冲电流：18A @ 8/20µs。
• 结电容：34pF（低电容设计利于高速信号完整性）。

四、典型应用

• USB、HDMI、Ethernet 等高速接口保护。
• 工业控制与传感器接口防护。
• 通讯设备、移动终端、消费电子外部引脚防护。
• 需要低电容、低漏电以保持信号质量的场合。

五、封装与安装

• 封装：DFN1006-2L（小体积、适合高密度 PCB 布局）。
• 建议将器件靠近需保护的接口或连接器放置，减小 PCB 引线电感与寄生阻抗。采用良好接地平面及短回流路径以提升保护性能。

六、使用注意事项

• 器件为瞬态能量吸收器，不能作为持续电流或稳态电源保护器使用。
• 钳位电压随脉冲幅值与波形变化，实际钳位需以系统测试为准。
• 在 5V 及以上工作环境中注意 Vrwm（5V）；高于工作电压时可能引起常导通或漏电。
• 推荐在板级设计中配合阻抗匹配与滤波器件共同优化抗扰性能。

BDFN2C051V40 在小体积下兼顾高能量吸收与低电容特性，适用于对信号完整性和瞬态防护都有较高要求的电子设计。