型号:

IPW60R070P6

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247-3
批次:23+
包装:管装
重量:1g
其他:
-
IPW60R070P6 产品实物图片
IPW60R070P6 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 391W 600V 53.5A 1个N沟道
库存数量
库存:
118
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:240
商品单价
梯度内地(含税)
1+
15.45
240+
15
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)53.5A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)391W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@1720uA
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)4.75nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)190pF

IPW60R070P6 产品概述

一、概述

IPW60R070P6 是英飞凌(Infineon)一款高压 N 沟道功率 MOSFET,面向高电压开关应用设计。器件耐压达 600V,适合用于中高电压开关拓扑(如 Boost PFC、离线开关电源、逆变器和电机驱动等)。器件采用 TO-247-3 封装,适合需要良好散热处理和较大脉冲/连续电流能力的场合。

二、主要电气参数(基础参数)

  • 漏源电压 Vdss:600V
  • 导通电阻 RDS(on):70 mΩ @ Vgs = 10V
  • 连续漏极电流 Id:53.5 A
  • 耗散功率 Pd:391 W
  • 阈值电压 Vgs(th):4.5 V @ Id = 1720 μA
  • 总栅极电荷 Qg:100 nC @ Vgs = 10V
  • 输入电容 Ciss:4.75 nF
  • 输出电容 Coss:190 pF
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 数量/极性:1个 N 沟道
  • 封装:TO-247-3
  • 品牌:Infineon

三、关键特性与优势

  • 高耐压(600V):适合离线和高压电源拓扑,能够承受大幅度的 Vds 应力。
  • 中低导通阻抗(70 mΩ @10V):在中等电流下能保持较低导通损耗,适合需要兼顾导通和开关性能的场合。
  • 较大连续电流能力(53.5A)与高耗散功率(391W):在良好散热条件下可支持较高功率密度的设计。
  • 较高栅极电荷(100nC):说明开关时需要较强的驱动能力,适配专用驱动器以实现快速切换或控制开关损耗。

四、典型应用场景

  • 功率因数校正(PFC)升压开关管
  • 离线开关电源主开关或同步整流器(取决于拓扑)
  • 太阳能逆变器、光伏并网前端级
  • 中小功率电机驱动及工业电源系统
  • 其它高压开关、浪涌或能量转换电路

五、设计与使用建议

  • 栅极驱动:由于 Vgs(th) 相对较高且 Qg=100nC,建议使用能提供较高峰值电流(1A~5A 或更高,视开关频率与开关速度而定)的专用栅极驱动器,并把栅极驱动电压驱到 10V 以满足 RDS(on) 标称条件。
  • 栅极阻尼:推荐在栅极串联限流电阻(典型 5~22 Ω)以限制开关瞬态电流、控制 dv/dt 并抑制寄生振荡。
  • 开关损耗管理:Coss 与 Qg 较大,开关损耗在高频和大电压摆幅下显著,应评估核心拓扑是否允许此类开关损耗,必要时采用软开关或能量回收/钳位电路(RC/RC+二极管/有源夹位)。
  • 热设计:TO-247-3 封装需良好散热路径(贴片到散热片或直接螺栓固定散热器),并做好结到环境的热阻与热关断裕量设计;高温下需适当降额运行。
  • 布局要点:减小漏源回路与栅极到源的寄生电感,采用短且粗的铜走线,靠近器件放置驱动回路,考虑使用 Kelvin 源端连接以提高开关可控性。

六、封装与可靠性提示

TO-247-3 封装便于强力螺栓固定至散热器,注意安装扭矩与绝缘垫片使用以保证热阻低且机械可靠。长期可靠性依赖于结温控制与热循环管理,工作环境如存在高温、高湿或强机械振动,应进一步进行老化和系统级验证。

七、结论

IPW60R070P6 结合了 600V 的高压能力与中等导通电阻,适合需要承受高电压同时要求较大电流能力的电源和逆变场景。设计时需重视栅极驱动能力与开关损耗控制,并做好散热与寄生参数管理,以充分发挥该器件在高压开关中的性能。