IPD50R280CEAUMA1 产品概述

一、产品简介

IPD50R280CEAUMA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款单个N沟道功率MOSFET，额定漏源电压500V，适用于中高压开关电源与功率转换场合。器件封装为TO-252（俗称DPAK），在体积与散热之间取得平衡，便于表面贴装与PCB散热设计。

二、主要电气参数

• 漏源电压 (Vdss)：500V
• 导通电阻 (RDS(on))：280mΩ @ Vgs=13V, Id=4.2A
• 连续漏极电流 (Id)：18.1A（具体取决于封装与散热条件）
• 耗散功率 (Pd)：119W（典型测试条件下）
• 阈值电压 (Vgs(th))：3V
• 栅极电荷量 (Qg)：32.6nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss)：773pF @ 100V
• 封装：TO-252（DPAK）

三、性能亮点与影响

该器件以500V耐压为核心，适合高压开关应用。RDS(on) 为280mΩ 在高压MOSFET中属于中等水平，适合功率与效率间的折衷。较大的栅极电荷（32.6nC）和输入电容（773pF）意味着在高频开关时需要更强的驱动能力，开关损耗与驱动损耗需在设计时重点考虑。

四、热管理与封装建议

TO-252封装便于通过焊盘与大面积铜箔散热。器件额定耗散功率119W通常在理想冷却条件（如Cu散热片或底部接地铜皮）下测得，实际应用中须按工作环境温度和PCB散热能力进行热阻与结温计算。建议：

• 在PCB上尽可能扩大散热铜箔并多过孔通至底层；
• 考虑强制对流或散热片用于高功率工况；
• 设计时按结温升高对电流能力进行降额。

五、驱动与电路设计要点

由于Vgs(th)=3V，器件并非严格的“逻辑电平”型，推荐驱动电压在10~13V之间以确保低导通电阻。较高的Qg和Ciss表示：

• 使用低输出阻抗的栅极驱动器以实现快速切换并降低开关损耗；
• 适当选用栅阻（Rg）以平衡开关速度与电磁干扰（EMI）；
• 在高压切换节点采用缓冲、电阻或RC吸收网络以限制尖峰电压；
• 推荐在栅极与源之间并联驱动保护（如栅极钳位）以避免过压。

六、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）高压侧开关
• PFC（功率因数校正）电路中的开关元件
• 电机驱动或逆变器中中高压段
• 工业电源与照明驱动器

七、使用与选型注意事项

• 确认系统所需的开关频率与开关能量，评估Qg带来的驱动损耗是否可接受；
• 按工作温度曲线对RDS(on)与最大允许电流进行降额；
• 在高应力环境下加入过压、过流与温度保护电路；
• 若对导通损耗要求更高，可考虑并联多颗器件或选用更低RDS(on)的型号，但需注意电流均流与共享问题。

综上，IPD50R280CEAUMA1 在500V等级应用中提供了可靠的耐压能力与适度的导通性能，适合对体积与散热有中等要求的工业与电力电子场合。设计时应重点考虑驱动器能力与热管理方案，以保证长期稳定运行。