型号:

MUN5331DW1T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-88-6
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
MUN5331DW1T1G 产品实物图片
MUN5331DW1T1G 一小时发货
描述:数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SC-88-6(SC-70-6)
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0.698
1500+
0.608
3000+
0.565
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)8@5mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.8V@20mA,0.2V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.3V@1mA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV
输入电阻2.2kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

MUN5331DW1T1G 产品概述

一、基本信息

MUN5331DW1T1G是一款由ON Semiconductor制造的数字晶体管,采用SC-88(也称为SC-70-6或SOT-363)封装,适合表面贴装型应用。这款晶体管集成了一个NPN型和一个PNP型晶体管,采用预偏压设计,可为各种数字电路提供高效、可靠的开关功能。MUN5331DW1T1G的最大集电极电流(Ic)为100mA,最大集射极击穿电压(Vce)为50V,功率最大值为250mW,提供了一定的电气性能和安全边际。

二、核心参数分析

  1. 电流与电压性能:

    • 此器件的最大集电极电流(Ic)为100mA,适用于小功率负载的驱动,同时其集射极击穿电压(Vce)高达50V,可以满足大多数需要兼容高电压的应用场合。
    • 该产品的集电极截止电流(最大值)为500nA,确保在关闭状态下,不会对电路造成显著影响。
  2. 增益特性:

    • MUN5331DW1T1G在不同的集电极电流(Ic)和集射极电压(Vce)条件下,DC电流增益(hFE)的最小值为8,这一性能指标使得在低电流操作条件下依然提供可接受的增益,确保了信号的放大及开关操作的有效性。
  3. 饱和与基极电阻:

    • Vce饱和压降的最大值为250mV,适合高效开关操作,降低了在开关状态下的功耗。基极电阻(R1)与发射极电阻(R2)均为2.2千欧,帮助实现所需的基极电流,从而有效控制晶体管的导通与截止状态。

三、应用场景

MUN5331DW1T1G由于其优异的电气性能,广泛应用于数字电路和小信号放大器,如:

  • 开关电源: 可用于伺服电机驱动和小型电机控制,非常适合低功耗设备的开关。
  • 信号调理: 在模拟和数字信号处理中,可用作信号的放大和开关,提升信号质量和稳定性。
  • 电子开关: 在各种电子电路中可作为开关使用,例如在家用电器、消费电子以及自动化控制系统中。
  • 通讯设备: 可用于无线电通信、数据传输及相关领域,有助于提高信号的精准度和传输效果。

四、封装与安装

MUN5331DW1T1G的SC-88封装体积小巧,适合安装在空间有限的应用场合。其表面贴装的设计使得在现代电子产品中更具灵活性,能够适应自动化生产需求,也便于实现高密度布线。封装的设计使得该器件在焊接和散热能力方面都具备良好的表现,进一步提升了设备的可靠性。

五、总结

MUN5331DW1T1G是ON Semiconductor推出的一款高性能数字晶体管,适合多种应用场合,如开关电源、信号处理和电子开关等。其较高的集电极电流和集射极击穿电压,加上低功耗和小型封装,将成为设计师在选用电子元器件时的优秀选择。无论是在消费电子、通讯设备还是工业自动化领域,MUN5331DW1T1G均能提供稳定、高效的性能,助力各类电子产品的成功实施。