描述：场效应管(MOSFET) 53W 60V 16A 1个P沟道 PowerPAK1212-8W
库存数量
库存：
10777
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.28
100+
2.72
750+
2.52
1500+
2.41
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@5.7A,10V
功率(Pd)53W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)38nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.385nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
SQ7415CENW-T1_GE3 产品概述
概述
SQ7415CENW-T1_GE3 是由Vishay Siliconix制造的一款高性能P沟道MOSFET，专为汽车电子及其他高温应用设计。该器件具有优异的电气特性和极高的可靠性，符合AEC-Q101标准，是信赖的汽车级元件。其独特的TrenchFET®技术使其在工作效率和热管理方面表现出色，广泛应用于电源管理、马达驱动、负载开关和其他要求高电流、高电压的环境中。
主要参数
- 制造商: Vishay Siliconix
- 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 零件状态: 在售
- 包装类型: 卷带（TR）
- FET 类型: P 通道 MOSFET（金属氧化物）
电气特性
- 漏源电压（Vdss）: 60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（当结温Tc时）
- 驱动电压: 最小 Rds On: 4.5V，最大 Rds On: 10V
- 导通电阻（Rds On）: 在5.7A和10V下，最大值为65毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA下最大值为2.5V
- 栅极电荷（Qg）: 在10V下最大值为38 nC
- 栅源电压范围: ±20V
- 输入电容 (Ciss): 在25V下最大值为1385 pF
- 功率耗散: 最大值为53W（在Tc条件下）
工作环境
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装形式: PowerPAK® 1212-8W
应用场景
SQ7415CENW-T1_GE3广泛应用于汽车行业，适合各种电子控制单元（ECU）、智能电源管理、马达控制及电动汽车（EV）系统等场合。此外，它也可以用于工业设备、通讯设备以及物联网（IoT）装置中，充分满足现代电子系统对高效率与高温工作的要求。
性能优势
- 高效能: 借助于其低Rds On特性，SQ7415CENW-T1_GE3显著降低了在开关过程中的功率损耗，从而提高整体系统效率。
- 耐久性: 符合AEC-Q101认证，使其能够在严苛的汽车环境中长期稳定工作。
- 热管理能力: 功率耗散能力强（最高可达53W），适用于高功率应用，确保在高负载下也能保持良好的热平衡。
- 改善的热性能: -55°C至175°C的宽温工作范围，确保其可以在极端温度环境中可靠运行。
结论
SQ7415CENW-T1_GE3 MOSFET是一款具备卓越电气性能和高可靠性的P通道MOSFET，专为汽车及工业应用设计。其优秀的导通阻抗和功率损耗特性，使其成为现代电源管理的优质选择。无论在电气汽车、智能家居、还是其他高要求的电子系统中，SQ7415CENW-T1_GE3都能实现出色的性能，完美满足用户的需求。通过选择此款MOSFET，设计师和工程师能在他们的项目中获得高效能和可靠性的保障。