型号:

PESD3V3S2UT-N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESD3V3S2UT-N 产品实物图片
PESD3V3S2UT-N 一小时发货
描述:TVS二极管 PESD3V3S2UT-N SOT23
库存数量
库存:
2950
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.234
3000+
0.207
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)3V
钳位电压16V
峰值脉冲电流(Ipp)24A
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压4V
反向电流(Ir)100nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容200pF

PESD3V3S2UT-N 产品概述

一 产品简介

PESD3V3S2UT-N 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款 SOT-23 封装双向 TVS 二极管,针对 3.3V 工况的瞬态电压抑制而设计。器件类型为 ESD 保护元件,符合 IEC 61000-4-2(静电放电)、IEC 61000-4-4(快速瞬变/脉冲群)与 IEC 61000-4-5(浪涌)等工业级抗扰度规范,适用于接口和电源线的过压与静电保护。

二 主要电气参数

  • 钳位电压(Vc):16V(峰值钳位能力)
  • 击穿电压(Vbr):4V(典型)
  • 反向截止电压 Vrwm:3V(适配 3.3V 系统)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:350W(8/20 μs)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:24A(8/20 μs)
  • 结电容 Cj:约 200pF(典型)
  • 反向漏电流 Ir:100nA(常温、在 Vrwm 下)
  • 极性:双向(适合差分/双向信号线路)
  • 封装:SOT-23

三 特性与优势

  • 针对 3.3V 系统优化:Vrwm=3V,可在 3.3V 工作电压下提供有效的稳态与瞬态保护。
  • 高能量吸收:350W(8/20 μs)与 24A 峰值电流,能承受工业级瞬态浪涌与脉冲。
  • 工业级兼容性:通过 IEC-61000 系列三项标准认证,适合对抗静电、射频干扰与浪涌的恶劣环境。
  • 低漏电与小体积:Ir 仅 100nA,适合对待机能耗敏感的系统;SOT-23 小封装便于 PCB 布局与空间受限设计。
  • 双向保护:适用于差分或双向信号线(例如数据总线、串口、音频线等)。

四 适用场景建议

  • 3.3V 电源防护及模块输入端保护。
  • 接口保护:UART、I2C、SPI、CAN 等低速数据信号线(注意结电容约 200pF 对高速信号的影响)。
  • 人机界面与外部连接器(按键、触摸屏、音频插口、外壳接触点等)ESD 防护。
  • 工业设备、通信设备、消费电子与物联网终端中的端口保护。

五 选型与布局注意事项

  • 结电容影响:Cj≈200pF 对高频高速差分信号(USB3.0、HDMI、Gigabit Ethernet 等)可能造成带宽或信号完整性影响;高速应用需谨慎评估或选择低电容型号。
  • 布局建议:将 TVS 尽量靠近被保护引脚布置,保护端到接地的回流路径最短;SOT-23 接地焊盘应靠近地平面并配合过孔加固接地。
  • 热耗散与浪涌:在可能频繁遭受浪涌的场合,考虑并联散热或更大功率等级的保护方案。
  • 环境与工艺:遵循 ESD 操作规范与器件湿敏等级(MSL)要求,波峰/回流焊温度按厂家推荐执行。

六 包装与型号说明

  • 型号:PESD3V3S2UT-N
  • 品牌:BORN(伯恩半导体)
  • 封装:SOT-23,适合自动贴片生产与批量组装。

总结:PESD3V3S2UT-N 为面向 3.3V 系统的通用双向 TVS 器件,具有良好的脉冲能量承受能力与工业级抗扰性能,适用于多种接口与电源保护场景。在高速信号应用中需权衡其结电容带来的影响,合理布局与接地可发挥其最佳保护效果。若需替代器件或进一步的 SPICE 模型与封装尺寸图,请明确用途与环境条件,以便推荐更合适的方案。