型号:

FSB660A

品牌:ON(安森美)
封装:3-SSOT
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
FSB660A 产品实物图片
FSB660A 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 60V 2A PNP SOT-23-3
库存数量
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0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.5
100+
1.2
750+
1.07
1500+
1.01
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@1A,2V
特征频率(fT)75MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@2A,200mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:FSB660A PNP 三极管

一、产品简介

FSB660A 是一款高性能的 PNP 型三极管,由安森美(ON Semiconductor)生产。其主要特性包括额定电流 2A,最大集射极击穿电压 60V,以及高达 500mW 的功率处理能力。凭借其适应 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围,FSB660A 非常适合于各类严苛环境下的电子设备应用。其采用的 SOT-23-3 封装形式,使得在表面贴装技术(SMT)中具有优良的兼容性,广泛应用于便携式电子设备、工业控制、汽车电子等领域。

二、核心参数分析

  1. 电流与电压特性

    • 集电极电流 (Ic): 该三极管的最大集电极电流为 2A,确保其能够承受高负载电流,适合电机驱动、继电器控制等高功率应用。
    • 集射击穿电压 (Vce): 最大集射击穿电压为 60V,能够满足多种电源要求,提供更高的安全性和可靠性。
  2. 饱和压降

    • 在运行中,FSB660A 的饱和压降(Vce)在 Ic 为 200mA 和 2A 时最大值可降至 300mV。这意味着在高通量和快速切换的应用中,该元器件能够有效减少功耗,提高能效。
  3. 直流电流增益 (hFE)

    • FSB660A 在 500mA 和 2V 下的最小直流电流增益 (hFE) 达到 250,表明其在放大信号时的能力强劲,能够满足高增益放大电路的设计需求。
  4. 功率与频率

    • 最大功率规格为 500mW,结合其 75MHz 的跃迁频率,FSB660A能够处理各种频率的信号,适用于高频开关和信号放大场合。
  5. 漏电流

    • 该三极管的集电极截止电流 (ICBO) 是 100nA,确保在关闭状态下几乎无漏电,从而减少了电源消耗,提高了稳定性。

三、应用场景

FSB660A 三极管在多个领域都有广泛的应用潜力:

  • 便携式电子设备: 由于其小型化的封装适合在有限空间内使用,该元器件常用于手机、平板电脑和其他消费电子产品中。
  • 汽车电子: 其广泛的工作温度范围和高集电极电流承载能力,使其非常适合汽车电子系统,如电子控制单元(ECU)、电动窗口控制、灯光控制等。
  • 工业控制: 在自动化设备和工业控制系统中,FSB660A 可以用于驱动小型电机、控制继电器和电源开关等。
  • 功率放大器: 以其良好的增益特性,FSB660A 也可用作音频放大器或其他信号放大电路的关键元件。

四、结论

综合考虑,FSB660A 是一款性能优异的 PNP 三极管,凭借其高电流、高电压、低功耗和小尺寸的优势,使其在多种应用场合都能发挥出色的性能。无论是在日常消费电子、汽车电子,还是在工业自动化系统中,FSB660A 已成为工程师们设计和开发中不可或缺的重要元器件之一。选择 FSB660A,您将获得更高的可靠性和功效,为您的电子设计项目赋能。