SBAT54XV2T1G 产品概述

一、产品简介

SBAT54XV2T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款小型肖特基二极管，面向空间受限和低压快速整流场合。器件采用 SOD-523 小封装，适合表面贴装工艺，具备较低的正向压降和快速恢复特性，适用于便携设备、功率管理和保护电路等应用。

二、主要电气参数

• 正向压降 (Vf)：约 800 mV @ 100 mA
• 直流平均整流电流：200 mA
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：600 mA
• 直流反向耐压 (Vr)：30 V
• 反向电流 (Ir)：2 μA @ 25 V
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +125 ℃
• 封装：SOD-523（小型贴片）

三、关键特性与优势

• 低正向压降：在 100 mA 时 Vf 约 0.8 V，可减少导通功耗，提升效率，适合低压电源整流与电池供电系统。
• 低反向漏电流：25 V 时 Ir 仅 2 μA，在休眠或待机模式下有利于降低泄漏损耗与电流漫耗。
• 快速响应与抗冲击能力：肖特基结构提供快速开关特性，Ifsm 600 mA 能承受短时浪涌电流。
• 紧凑封装：SOD-523 适合高密度 PCB 布局，利于尺寸受限的移动和消费类电子设计。

四、典型应用

• 低压降整流与二极管 ORing（电源路径自动切换）
• 反向极性保护与浪涌抑制
• 便携式设备电源管理（充电口、升/降压模块）
• 高密度开关电源及电源管理芯片外围保护

五、封装与热性能

SOD-523 为超小外形贴片封装，适合自动贴装与回流焊工艺。由于封装体积小，器件的热阻相对较高，建议在布局时为二极管提供合适的铜箔散热路径和热沉区，避免长时间大电流工作导致结温升高。工作环境高温时需关注反向漏电随温度上升而增加的影响。

六、选型与设计注意事项

• 确认工作电流与 Vf 曲线：在常态工作电流接近或超过 100 mA 时，应参考完整 Vf 曲线以评估功耗与发热。
• 考虑浪涌与瞬态：Ifsm 提供短时冲击能力，若存在更大浪涌需加保护电路或选择更大功率器件。
• 反向电压裕量：30 V 反向耐压适用于低压系统，高压环境需选更高 Vr 的型号。
• 热设计与封装限制：SOD-523 热能力有限，对长期大电流应用需适当降额使用并优化 PCB 散热。
• 焊接与可靠性：按厂商回流温度曲线执行焊接工艺，避免过高回流温度影响可靠性。

七、可靠性与存储处理建议

• 小封装器件在贴装和回流过程中需注意机械应力和焊接曲线，避免超出推荐工艺参数。
• 存储时防潮等级需按厂家建议处理，贴片卷带在保质期和防潮包条件下保存。
• 在系统验证阶段，应进行温升、长期功耗与反向漏电的验证，确保在目标环境下满足可靠性要求。

如需最终的电气特性曲线、封装尺寸与回流焊工艺建议，请参考安森美官方数据手册以获取完整规范与测试条件。