NTMFS5C612NLT1G

NTMFS5C612NLT1G 产品概述

制造商: ON Semiconductor
封装: 卷带（TR）
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
基本产品编号: NTMFS5
描述: 场效应管(MOSFET) 167W 60V 235A 1个N沟道 DFN-5(5.1x6.1)
品牌: ON(安森美)
封装: SO-FL-8

1. 产品简介

NTMFS5C612NLT1G 是 ON Semiconductor 公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术。该器件设计用于高功率应用，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种电源管理和开关应用。

2. 关键特性

• 高电流处理能力: 在 25°C 时，连续漏极电流 (Id) 可达 36A（环境温度 Ta）和 235A（壳温 Tc）。
• 低导通电阻: 在不同 Id 和 Vgs 条件下，导通电阻 (Rds On) 最大值为 1.5 毫欧 @ 50A，10V。
• 宽工作电压范围: 漏源电压 (Vdss) 为 60V，适用于多种电压环境。
• 高功率耗散: 最大功率耗散为 3.8W（环境温度 Ta）和 167W（壳温 Tc），确保在高负载下稳定运行。
• 宽工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C 至 175°C（结温 TJ），适应各种环境条件。
• 快速开关性能: 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 最大值为 91nC @ 10V，确保快速开关响应。
• 低输入电容: 不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 最大值为 6660pF @ 25V，减少开关损耗。

3. 应用领域

NTMFS5C612NLT1G 适用于多种高功率和高效率的应用场景，包括但不限于：

• 电源管理: 用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器、电池管理系统等。
• 电机驱动: 用于电动工具、家用电器、工业电机等。
• 汽车电子: 用于汽车电源系统、电动车辆驱动系统等。
• 工业控制: 用于工业自动化设备、机器人、电源开关等。

4. 封装与安装

NTMFS5C612NLT1G 采用表面贴装型封装，具体为 8-PowerTDFN 封装，供应商器件封装为 5-DFN（5x6）（8-SOFL）。这种封装设计紧凑，适合高密度 PCB 布局，同时提供良好的热管理性能。

5. 电气特性

• 驱动电压: 最大 Rds On 驱动电压为 4.5V，最小 Rds On 驱动电压为 10V。
• 阈值电压: 不同 Id 时 Vgs(th) 最大值为 2V @ 250µA。
• 栅源电压: Vgs 最大值为 ±20V，确保在高压环境下的可靠性。

6. 热管理

NTMFS5C612NLT1G 具有优异的热管理性能，最大功率耗散在壳温 Tc 下可达 167W，确保在高负载和高温环境下稳定运行。此外，其宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于极端环境下的应用。

7. 可靠性

ON Semiconductor 作为全球领先的半导体制造商，NTMFS5C612NLT1G 经过严格的质量控制和可靠性测试，确保在各种应用场景下的长期稳定性和可靠性。

8. 总结

NTMFS5C612NLT1G 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有高电流处理能力、低导通电阻、快速开关性能和优异的热管理能力。其紧凑的封装设计和宽工作温度范围使其适用于多种高功率和高效率的应用场景，包括电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域。ON Semiconductor 的严格质量控制和可靠性测试确保了该器件在各种环境下的长期稳定性和可靠性。

通过以上特性，NTMFS5C612NLT1G 为设计工程师提供了一个高效、可靠的解决方案，满足现代电子设备对高性能 MOSFET 的需求。