YJL2302B 产品概述

一、产品简介

YJL2302B 是扬杰（YANGJIE）出品的一款小封装 N 沟道场效应管（MOSFET），封装为 SOT-23-3L，单只器件适用于低压、低功耗开关和功率管理场景。器件额定漏源耐压为 20V，连续漏极电流 3A，器件功耗 Pd 为 700mW，适合便携式和空间受限的电路设计。

二、主要性能参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源电压 Vdss：20V
• 连续漏极电流 Id：3A（需注意散热限制）
• 导通电阻 RDS(on)：80mΩ @ Vgs=2.5V，I=2A
• 阈值电压 Vgs(th)：780mV
• 总栅极电荷 Qg：2.9nC @ Vgs=4.5V
• 输入电容 Ciss：280pF @ 10V；输出电容 Coss：46pF；反向传输电容 Crss：29pF @ 10V
• 封装：SOT-23-3L
• 品牌：YANGJIE（扬杰）

三、器件特点与优势

• 低导通电阻：在仅 2.5V 栅压下 RDS(on)=80mΩ，适合 1S 电池或低压逻辑直接驱动的负载开关。
• 低栅极电荷：Qg=2.9nC（4.5V）使其在开关频率不太高的 PWM 或 DC-DC 变换器中具有较低驱动能耗和较快开关速度。
• 紧凑封装：SOT-23 体积小，便于高密度 PCB 布局和空间受限应用。

四、典型应用场景

• 电池供电设备的高侧/低侧开关（需注意耐压）
• 便携式充电管理与电源路径切换
• 低压 DC-DC 降压转换器输出开关或同步整流（取决于系统热设计）
• 反向电流防护、负载开关、音频/传感器电源开断

五、使用建议与热管理

• 虽然 Id 标称 3A，但封装功耗 Pd=700mW 限制了长期大电流能力。例：2A 导通时器件自身发热约 I^2·R ≈0.32W，需通过合理铜箔面积和散热设计保证结温在安全范围内。
• 建议采用较大焊盘、短走线及必要的热过孔以提升散热。
• 栅极驱动采用 4.5V 或更高驱动电压可获得更低 RDS(on)，但请参照器件手册确认最大 Vgs 限制。
• 高频开关时关注 Coss/Crss 对电压和回流的影响，适当缓冲和阻尼以降低电磁干扰。

六、封装与选型注意事项

购买与布局前请查阅完整器件手册确认引脚定义、最大额定值及典型参数曲线；在并联或替换同类器件时务必核对 RDS(on)、Qg 和热阻参数，确保可靠性。若需更高电流或更低导阻，应考虑更大封装或增强型器件。